電壓
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PDP顯示器電源管理架構(gòu)分析
等離子顯示器在大尺寸的平面顯示器中，盡管在良率、可視角度等方面具有優(yōu)勢，然其顯示原理倚賴電弧放電，由于放電必須要有較高的電極電壓，也因此等離子顯示器比起其它顯示器更為耗電。本文將介紹等離子顯示器電源耗
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瑞薩 推出可在32nm及以上工藝實現(xiàn)SRAM的技術(shù)
瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，開發(fā)出一種可在32 nm（納米）及以上工藝有效實現(xiàn)SRAM的技術(shù)，以用于集成在微處理器或SoC（系統(tǒng)級芯片）中的片上SRAM。
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瑞薩 推出可在32nm及以上工藝實現(xiàn)SRAM的技術(shù)
瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，開發(fā)出一種可在32 nm（納米）及以上工藝有效實現(xiàn)SRAM的技術(shù)，以用于集成在微處理器或SoC（系統(tǒng)級芯片）中的片上SRAM。
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凌特上市在封裝中內(nèi)置參考電壓D-A轉(zhuǎn)換IC
美國凌特科技（LinearTechnology）上市了在2.1mm×2mm的6端子SC70封裝中內(nèi)置參考電壓的D-A轉(zhuǎn)換IC“LTC2630”。與內(nèi)置參考電壓的其它D-A轉(zhuǎn)換IC相比，封裝面積削減了約50％。分辨率為12bit、10bit及8bit。12bit產(chǎn)品的I
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利用16位DAC實現(xiàn)20位分辨率的設(shè)計
本文提出一種創(chuàng)新的解決方案，即在精密DAC后端使用可編程增益放大器(PGA)。
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利用16位DAC實現(xiàn)20位分辨率的設(shè)計
本文提出一種創(chuàng)新的解決方案，即在精密DAC后端使用可編程增益放大器(PGA)。
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一種串聯(lián)蓄電池組電壓巡檢儀的設(shè)計
對于單塊電池的電壓進行自動巡檢，以便及時發(fā)現(xiàn)問題，就變得極為重要。而對電池組單塊電池電壓進行測量存在以下主要技術(shù)難點。
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運算放大器電路中固有噪聲的分析與測量(一)
本系列文章將介紹如何通過計算來預(yù)測電路的固有噪聲大小，如何采用 SPICE模擬技術(shù)，以及噪聲測量技術(shù)等。
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Synopsys與聯(lián)華電子 加強90納米參考流程
Synopsys與臺灣聯(lián)華電子共同宣布，雙方合作以Synopsys的Galaxy™ 設(shè)計解決方案平臺為基礎(chǔ)，針對聯(lián)華電子的90納米工藝，在參考設(shè)計流程中增添了新的功能。
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預(yù)零交叉檢波器的設(shè)計
本文介紹一種產(chǎn)生閉合或斷開繼電器的信號、使接觸在鈴聲發(fā)生器的鈴聲信號處于零電位時合或開的方法。
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電力線上網(wǎng)效法小靈通欲闖牌照關(guān)
10萬用戶會是一個標志，之后電力線上網(wǎng)會產(chǎn)生滾雪球效應(yīng)。最終以既成事實獲取話語權(quán)。就像當年的小靈通一樣。 “由于電力線上網(wǎng)太不穩(wěn)定，我們已經(jīng)決定更換上網(wǎng)方式了?！奔易”本┩ㄖ莸膭⑾壬嬖V《財經(jīng)時報
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一種新穎電壓取樣型電機保護器
本文描述了一種新穎電壓取樣型電機保護器的保護特性、以及過壓、欠壓、斷相(或錯相)等特性。
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Onsemi 推出11個新型低飽和電壓BJT
安森美半導體（Onsemi）宣布，進一步拓展其在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低飽和電壓(Vce(sat))雙極結(jié)晶體管（BJT）產(chǎn)品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封裝。
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Onsemi 推出11個新型低飽和電壓BJT
安森美半導體（Onsemi）宣布，進一步拓展其在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低飽和電壓(Vce(sat))雙極結(jié)晶體管（BJT）產(chǎn)品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封裝。
