電壓
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基于VB6.0的燃料電池單片電壓巡檢系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
本文所要介紹的是作者單位正在進(jìn)行的25kW燃料電池轎車(chē)項(xiàng)目中，燃料電池單片電壓巡檢測(cè)試、分析系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。
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基于ADuC834單片機(jī)的一氧化碳監(jiān)測(cè)報(bào)警儀設(shè)計(jì)
本文采用AD公司的數(shù)據(jù)采集芯片ADuC834為主控芯片，介紹了一種靈敏度高、性能可靠、操作簡(jiǎn)單的一氧化碳監(jiān)測(cè)報(bào)警儀。
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PDP顯示器電源管理架構(gòu)分析
等離子顯示器在大尺寸的平面顯示器中，盡管在良率、可視角度等方面具有優(yōu)勢(shì)，然其顯示原理倚賴(lài)電弧放電，由于放電必須要有較高的電極電壓，也因此等離子顯示器比起其它顯示器更為耗電。本文將介紹等離子顯示器電源耗
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瑞薩 推出可在32nm及以上工藝實(shí)現(xiàn)SRAM的技術(shù)
瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，開(kāi)發(fā)出一種可在32 nm（納米）及以上工藝有效實(shí)現(xiàn)SRAM的技術(shù)，以用于集成在微處理器或SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）中的片上SRAM。
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瑞薩 推出可在32nm及以上工藝實(shí)現(xiàn)SRAM的技術(shù)
瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，開(kāi)發(fā)出一種可在32 nm（納米）及以上工藝有效實(shí)現(xiàn)SRAM的技術(shù)，以用于集成在微處理器或SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）中的片上SRAM。
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凌特上市在封裝中內(nèi)置參考電壓D-A轉(zhuǎn)換IC
美國(guó)凌特科技（LinearTechnology）上市了在2.1mm×2mm的6端子SC70封裝中內(nèi)置參考電壓的D-A轉(zhuǎn)換IC“LTC2630”。與內(nèi)置參考電壓的其它D-A轉(zhuǎn)換IC相比，封裝面積削減了約50％。分辨率為12bit、10bit及8bit。12bit產(chǎn)品的I
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利用16位DAC實(shí)現(xiàn)20位分辨率的設(shè)計(jì)
本文提出一種創(chuàng)新的解決方案，即在精密DAC后端使用可編程增益放大器(PGA)。
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利用16位DAC實(shí)現(xiàn)20位分辨率的設(shè)計(jì)
本文提出一種創(chuàng)新的解決方案，即在精密DAC后端使用可編程增益放大器(PGA)。
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一種串聯(lián)蓄電池組電壓巡檢儀的設(shè)計(jì)
對(duì)于單塊電池的電壓進(jìn)行自動(dòng)巡檢，以便及時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，就變得極為重要。而對(duì)電池組單塊電池電壓進(jìn)行測(cè)量存在以下主要技術(shù)難點(diǎn)。
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運(yùn)算放大器電路中固有噪聲的分析與測(cè)量(一)
本系列文章將介紹如何通過(guò)計(jì)算來(lái)預(yù)測(cè)電路的固有噪聲大小，如何采用 SPICE模擬技術(shù)，以及噪聲測(cè)量技術(shù)等。
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Synopsys與聯(lián)華電子 加強(qiáng)90納米參考流程
Synopsys與臺(tái)灣聯(lián)華電子共同宣布，雙方合作以Synopsys的Galaxy™ 設(shè)計(jì)解決方案平臺(tái)為基礎(chǔ)，針對(duì)聯(lián)華電子的90納米工藝，在參考設(shè)計(jì)流程中增添了新的功能。
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預(yù)零交叉檢波器的設(shè)計(jì)
本文介紹一種產(chǎn)生閉合或斷開(kāi)繼電器的信號(hào)、使接觸在鈴聲發(fā)生器的鈴聲信號(hào)處于零電位時(shí)合或開(kāi)的方法。
