LED行業(yè)七大常用測(cè)試方法詳解

1、高溫高壓及其沖擊測(cè)試：針對(duì)對(duì)象：LED燈具(含LED Driver的成品燈具)參照標(biāo)準(zhǔn)：行業(yè)經(jīng)驗(yàn)測(cè)試方法：1，將5款LED燈具放置在一個(gè)室溫為60℃的房間;2，通過調(diào)壓器將LED燈具的輸入電壓調(diào)為最大額定輸入電壓的1.1倍;3，接

電感中電流滯后于電壓，電容超前于電壓的原因

拋開復(fù)雜的數(shù)學(xué)推理，可以作以下理解：電感因感抗抑制電流增加，因而電流滯后于電壓。電容的容抗抑制電壓增加，因而電壓滯后于電流。根據(jù)電感線圈中的電流不能突變的原理：電感兩端電壓發(fā)生變化了，但電流變化緩慢，

限制交流特高壓配電箱輸電系統(tǒng)內(nèi)部過電壓的方法

交流特高壓電網(wǎng)中，由于空氣間隙的放電電壓在操作過電壓下呈現(xiàn)飽和特性，從而使得電網(wǎng)中電氣設(shè)備的絕緣占據(jù)電網(wǎng)設(shè)備總投資的份額愈來愈大;同時(shí)由于特高壓電網(wǎng)輸送容量巨大，絕緣故障的后果將非常嚴(yán)重，因此在特高壓電

村田用于汽車的獨(dú)石陶瓷電容器開始量產(chǎn)

導(dǎo)言：為解決耐熱性的汽車電源電路需求，村田獨(dú)石陶瓷電容器可替換的鋁電容和鉭電容。憑借開發(fā)新的材料，將至今為主流的3225尺寸達(dá)成了3216尺寸的小型化，并且成功地將 (額定電壓50V制品) 靜電容量從2.2µF擴(kuò)大

舞臺(tái)功放MOS管改裝電路圖及方法

以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對(duì)應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改

VA液晶顯示器光程差測(cè)量方法簡(jiǎn)介

引言　　隨著液晶顯示器的不斷發(fā)展，對(duì)顯示對(duì)比度提出了更高的要求。使用垂直排列的液晶顯示器即VA 液晶顯示器，可以更好地減少底部漏光，更大地提高顯示對(duì)比度。VA 液晶顯示器盒內(nèi)液晶分子的排列方式是垂直排列，因

諧波是怎樣導(dǎo)致設(shè)備間干擾的

諧波電流導(dǎo)致的一個(gè)嚴(yán)重后果就是對(duì)同一個(gè)電網(wǎng)上的其他電氣電子設(shè)備形成干擾。常見的故障現(xiàn)象包括：交流電機(jī)過熱，振動(dòng)增加。電子設(shè)備工作異常，儀表精度下降。那么，諧波源是如何導(dǎo)致這些故障現(xiàn)象的呢。了解這一點(diǎn)對(duì)

瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

21ic訊 瑞薩電子公司日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管（超級(jí)結(jié)MOSFET）（注1），具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這

利用LM3914顯示-至5V范圍的電壓電路

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

我們先來看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是 耗盡區(qū)電容

高品質(zhì)的LED制造技術(shù)分析

LED制造商中只有一少部分能夠制造出高品質(zhì)的LED。對(duì)于只用作簡(jiǎn)單指示作用的應(yīng)用，低品質(zhì)的LED就足以滿足要求了。但是在許多要求一致性、可靠性、固態(tài)指示或照明等領(lǐng)域里必須采用高品質(zhì)的LED，特別是在惡劣環(huán)境下，例

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

我們先來看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是 耗盡區(qū)電容

找出微處理器ADC電壓的十六進(jìn)制編碼值

這種設(shè)計(jì)方案針對(duì)低檔八管腳flash存儲(chǔ)的8位微處理器，例如Freescale的MC68HC908QT4A，但是它也同樣適用于任何一款擁有ADC模塊的8位微處理器。在芯片內(nèi)，ADC轉(zhuǎn)換輸入的模擬電壓成數(shù)字信號(hào)格式。數(shù)字信號(hào)格式為8位的十

高品質(zhì)的LED制造技術(shù)分析

LED制造商中只有一少部分能夠制造出高品質(zhì)的LED。對(duì)于只用作簡(jiǎn)單指示作用的應(yīng)用，低品質(zhì)的LED就足以滿足要求了。但是在許多要求一致性、可靠性、固態(tài)指示或照明等領(lǐng)域里必須采用高品質(zhì)的LED，特別是在惡劣環(huán)境下，例

找出微處理器ADC電壓的十六進(jìn)制編碼值

找出微處理器ADC電壓的十六進(jìn)制編碼值

過壓保護(hù)電路圖

如圖所示是一種過壓保護(hù)電路。當(dāng)外電壓E未超過設(shè)定的電壓Vs時(shí)，負(fù)阻發(fā)光二極管VD1截止，VT因無基極電流也截止，繼電器J不吸合，其常閉觸頭J1-1閉合，給負(fù)載RL供電。當(dāng)外電壓E一旦超過設(shè)定電壓Vs時(shí)，VD1由截止為導(dǎo)通，

多普勒微波自動(dòng)開關(guān)電路圖

微波自動(dòng)開關(guān)是根據(jù)微波的多普勒效應(yīng)來進(jìn)行控制的，它能夠監(jiān)測(cè)物體移動(dòng)，并把移動(dòng)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)從而控制燈泡的亮滅或電器的啟閉。工作原理如下天線 、T1、C5等組成微波振蕩電路，由天線向空間輻射，在其周圍產(chǎn)生一個(gè)半

基本電能質(zhì)量測(cè)量方法和常見問題原因

雖然我們享受著固態(tài)技術(shù)的發(fā)展所帶來的巨大好處，但在實(shí)際上，處于這一技術(shù)核心地位的微電子技術(shù)卻依賴著清潔電能。更快的速度和更低的電壓，意味著對(duì)電能質(zhì)量有著更高的要求。電能質(zhì)量(PQ)涉及面較廣，從像電壓突降

基于TMS320VC5509與AD7322的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

摘要：為了提高數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的采樣速度、轉(zhuǎn)換精度、降低系統(tǒng)功耗，設(shè)計(jì)了一種采用TI公司的C5000系列定點(diǎn)DSP芯片TMS320VC5509和ADI Device公司的2通道的、軟件可選的、雙極性輸入的、最高轉(zhuǎn)換速率是1MSpS、12位的帶符

準(zhǔn)諧振反激的原理介紹及應(yīng)用參數(shù)計(jì)算

如果不用固定的時(shí)鐘來初始化導(dǎo)通時(shí)間,而利用檢測(cè)電路來有效地“感測(cè)”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個(gè)最小值或谷值,并僅在這時(shí)啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)間,結(jié)果會(huì)是由于寄生電容被充電到最小電壓,導(dǎo)通的電流尖峰將會(huì)