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從WiFi收發(fā)器的PCB布局看射頻電路電源和接地的設計方法
射頻(RF)電路的電路板布局應在理解電路板結構、電源布線和接地的基本原則的基礎上進行。本文探討了相關的基本原則，并提供了一些實用的、經過驗證的電源布線、電源旁路和接
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分析汽車轉向電動機工作原理及轉向系統(tǒng)
汽車上配置的轉向系統(tǒng)，大致可以分為三類：(1)一種是機械式液壓動力轉向系統(tǒng);(2)一種是電子液壓助力轉向系統(tǒng);(3)另外一種電動助力轉向系統(tǒng)。一、電動助力轉向系統(tǒng)(EPS)1、英
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低壓線性穩(wěn)壓器的應用技巧
熱力學中常犯的一個錯誤就是選擇和線性穩(wěn)壓器一樣簡易的裝置。當設計即將應用時，設計師通常會意識到這個錯誤。更糟的是，由于新型線性穩(wěn)壓器的新功能和規(guī)格，封裝中消散的
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功率30W的小型開關電源分享之濾波電路設計
在今天的方案分享中，本文將會繼續(xù)就這一小型開關電源的濾波電路設計情況進行總結和簡析，下面就讓我們一起來看看吧。低通濾波回路設計在本方案中，本文所設計的這一功率為
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電源設計心得分享
對于現(xiàn)在一個電子系統(tǒng)來說，電源部分的設計也越來越重要，我想通過和大家探討一些自己關于電源設計的心得，來個拋磚引玉，讓我們在電源設計方面能夠都有所深入和長進。Q1：
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深度分析MOS場效應管在消費類電子中的電路設計
當我們還是學生的時候，不論從做題還是原理分析上,通常會重點學習NPN和PNP三極管的特性：靜態(tài)工作特性計算、動態(tài)信號分析等等。對于MOS管，老師一般都會草草帶過，沒有那么
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別小看了單電源比較器！
TLV3701是一款由靜態(tài)電流典型值為560nA的電源供電的“納米功耗級比較器”。從圖表1中列出的主要技術規(guī)格可以看到，在差分輸入過驅電壓為50mV時，傳播延遲時間，
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工程師十年總結：LED驅動設計經典問題解答
解讀設計高品質LED驅動電路的方法和選擇和設計LED驅動電源時要考慮哪些因素等問題。
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大功率電源MOSMOSFET問題的分析
在現(xiàn)代科技的環(huán)境下，傳統(tǒng)的電源設計方案已經無法再滿足人們的需要。因此功率更為強大的大功率電源開始成為設計者們的新寵。但是在應用過程中大功率電源也遇到了這樣或那樣
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三極管原理最通俗的表達理解
本文主要介紹三極管原理最通俗的表達理解，希望對您的學習有所幫助。對三極管放大作用的理解，切記一點：能量不會無緣無故的產生，所以，三極管一定不會產生能量。但三極管
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IGBT驅動芯片額定輸出功率密度不足的分析
電源技術不斷進步，這就使得傳統(tǒng)的一些單一電源方案不再適合于對現(xiàn)如今的產品。最典型的例子就是隨著應急電源與不間斷電源的誕生，IGBT技術開始走俏起來。
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LED方案中跟隨電路設計筆記分享
經過幾年的發(fā)展，LED技術已經成為目前的主流照明技術。很多初學者和設計者投入到LED產品的研發(fā)與生產中，而在學習過程中，能夠有幸閱讀一篇高手總結出的經驗筆記那自是再好
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在器件配置上擁有高靈活度的USBType-C端口
隨著及科技的發(fā)展，傳統(tǒng)的數據接口技術已經開始逐漸被新的Type-C技術取代。因此針對USB端口控制的一些解決方案也要相應做出調整。
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雙極性與單極性ns級高壓脈沖電源設計及特性比較
摘 要：為了滿足聚合類絕緣材料老化實驗及等離子體水處理高級氧化實驗2項實驗研究的應用要求,分別設計了雙極性和單極性2種ns級高壓脈沖發(fā)生器,且均主要由高壓直流電源、兩
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高電壓寬范圍輸入低電壓輸出的DC_DC輔助電源設計
摘要 高電壓寬范圍輸入的DC-DC輔助電源技術是中高壓、大容量電力電子變流系統(tǒng)的關鍵輔助技術?；陔p管反激電路,本文設計了一個高電壓寬范圍300~2 500V輸入,低電壓24V輸出的
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新能源汽車電機如何測試？
摘要：汽車換心行動是當下主流的趨勢，汽車的動力來源將由電機取代傳統(tǒng)的內燃機，今天我們就來做一次別開生面的“大手術”。電動汽車的心臟——電機，
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LED照明電源對低壓驅動IC技術要求
LED照明燈具在近期得到飛躍的發(fā)展，LED作為綠色環(huán)保的清潔光源得到廣泛的認可。LED光源具備使用壽命長、節(jié)能省電、應用簡單方便、使用成本低等優(yōu)勢，因而在家庭照明中未來都
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深度剖析COB LED溫度分布機理及測量方法
LED產品的可靠性與光源的溫度密切相關，由于 COB 光源采用多顆芯片高密度封裝，其溫度分布、測量與 SMD 光源有明顯不同。下面從技術層面出發(fā)，介紹 COB 光源的溫度分布特點
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詳解雙向QC3.0快充移動電源完整解決方案
智能手機的電池容量愈來愈大，除了省電能力外，充電速度更成為用戶愈來愈重視的特點。高通(Qualcomm)的 Quick Charge 快充技術已成為業(yè)界的典范之一，繼 Quick Charge 2.0
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同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇
進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組成部分，你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些
