如圖所示為由INA337構(gòu)成的輸出參考電位為VREF/2的電路。當(dāng)電橋不平衡時(shí),電橋輸出電壓由INA337放大100倍后輸出,經(jīng)過(guò)由Ro、Co組成的濾波器濾除噪聲,送到A/D變換器將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。在INA337的5腳用兩個(gè)2
如圖所示為由INA337構(gòu)成的負(fù)載電流的高端分流測(cè)量電路。該電路采用串聯(lián)取樣電阻Rs在電源與負(fù)載之間,負(fù)載電流IL流過(guò)Rs時(shí)將產(chǎn)生電壓降,此電壓降反映了負(fù)載電流變化。將Rs上電壓降作為輸入電壓,經(jīng)過(guò)INA337放大后輸出
如圖所示為由OPA111構(gòu)成輸入緩沖器的漏電電流測(cè)量電路。D1、D2為晶體管2N3904,將其基極與集電極短接(發(fā)射極開(kāi)路)。最大為±200V的電源加到被測(cè)器件,漏電電流流過(guò)100MΩ取樣電阻,在取樣電阻上形成電壓降,電壓
如圖所示,芯片電源端要用1μF電容濾波,且應(yīng)盡可能靠近芯片電源腳放置。信號(hào)由2腳和3腳輸入,信號(hào)源內(nèi)阻應(yīng)等于INA105輸入電阻以確保有高的共模抑制比。信號(hào)源如有5Ω失配電阻,則共模抑制比將下降約80dB。如果已
如圖所示為由INA125構(gòu)成的5V單電源虛地輸出電橋測(cè)量電路。負(fù)載兩端電壓由INA125的11腳(+)和5腳(-)提供,即5腳作為負(fù)載兩端電壓的相對(duì)“地”。而5腳與4腳相連,4腳輸出的精確基準(zhǔn)電壓2.5V即為相對(duì)“地”的電位,因此
如圖所示為由RF2103P構(gòu)成的射頻放大器原理電路。射頻信號(hào)(RF)由1腳輸入,經(jīng)過(guò)前置放大器、末級(jí)功率放大器(FPA)放大后由14腳輸出。芯片內(nèi)部1腳到前置放大器之間有一個(gè)隔直耦合電容,因此無(wú)須在1腳外加耦合電容。
如圖所示為由RF2103P構(gòu)成的915MHz射頻放大器的電路。P1為插座,其中P1-1接電源Vcc,P1-2接地,P1-3接功率降控制電壓VB;J1為RF輸入插座;J2為RF輸出插座。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=evt.y
如圖所示為由RF2104構(gòu)成的830MHz***率放大器原理電路。射頻信號(hào)(RF)由5腳輸入,經(jīng)過(guò)前置放大器、末級(jí)功率放大器放大后由12腳輸出。5腳有直流電壓,因此在5腳外加一個(gè)隔直耦合電容,同時(shí)并聯(lián)一個(gè)分流電感(10nH),5腳輸