2024年慕尼黑上海光博會于3月20-22日舉行,陜西光電子先導院科技有限公司攜VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓、砷化鎵(GaAs)IPD晶圓、氮化鎵(GaN)HEMT晶圓4項成果亮相,展位上的各項產(chǎn)品吸引了眾多參觀者駐足、交流。
對更強大和更節(jié)能設(shè)備的空前需求刺激了對砷化鎵、氮化鎵和碳化硅等化合物半導體的需求。這種材料需要通過外延生長的超純薄膜。盡管分子束外延 (MBE) 是三種外延設(shè)備之一,長期以來一直被認為是利基市場,但它已準備好過渡到批量應用。
據(jù)業(yè)內(nèi)信息,近日在山西太原舉行了太忻一體化經(jīng)濟區(qū)推介會,大約有十幾個合作項目簽約成功,其中第2代半導體砷化鎵面射型智能應用芯片研發(fā)生產(chǎn)項目落戶山西,總投資規(guī)模超10億元。
廈門2022年6月30日 /美通社/ -- 隨著WLAN技術(shù)的發(fā)展,室內(nèi)場景更傾向于依賴無線通信技術(shù),2021年互聯(lián)網(wǎng)約有50%的數(shù)據(jù)流量采用WiFi接入(來源:思科網(wǎng)絡(luò))。龐大的流量和接入需求推動著無線通信技術(shù)的發(fā)展,Wi...
(全球TMT2022年6月30日訊)三安集成憑借成熟的GaAs HBT/p-HEMT工藝平臺,是目前國內(nèi)唯一一家有能力量產(chǎn)WiFi 6E芯片的企業(yè)。目前,三安集成已與國內(nèi)頭部射頻企業(yè)達成深度合作,實現(xiàn)多款WiFi 6E前端模塊的量產(chǎn),產(chǎn)品覆蓋18.5-23.5dBm中高功率等級...
半導體芯片:在半導體片材上進行浸蝕,布線,制成的能實現(xiàn)某種功能的半導體器件。不只是硅芯片,常見的還包括砷化鎵(砷化鎵有毒,所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它),鍺等半導體材料。半導體也像汽車有潮流。二十世紀七十年代,因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存(D-RAM)市場占上風。但由于大型計算機的出現(xiàn),需要高性能D-RAM的二十世紀八十年代,日本企業(yè)名列前茅。
6月9日消息,全球最大砷化鎵晶圓代工服務公司穩(wěn)懋半導體公布了5月營收數(shù)據(jù)。 穩(wěn)懋半導體 穩(wěn)懋半導體5月合并營收為新臺幣19.85億元(約合人民幣4.73億元),年成長率及月成長率分別為42%及-1%
4月7日消息,全球最大砷化鎵晶圓代工服務公司穩(wěn)懋半導體日前公布了3月營收數(shù)據(jù)。 穩(wěn)懋 穩(wěn)懋半導體3月合并營收為新臺幣20.79億元(約合人民幣4.88億元),同比增長66.42%,環(huán)比增長5.86%
說到半導體,你真的了解半導體材料嗎?自然界中的物質(zhì),根據(jù)其導電性能的差異可劃分為導電性能良好的導體(如銀、銅、鐵等)、幾乎不能導電的絕緣體(如橡膠、陶瓷、塑料等)和半導體(如鍺、硅、砷化鎵等)。半導體是導電能力介于導體和絕緣體之間的一種物質(zhì)。它的導電能力會隨溫度、光照及摻入雜質(zhì)的不同而顯著變化,特別是摻雜可以改變半導體的導電能力和導電類型,這是其廣泛應用于制造各種電子元器件和集成電路的基本依據(jù)。
研究人員首先制備出由半導體納米顆粒陣列組成的砷化鎵薄膜,之后利用電子束光刻技術(shù)和等離子體刻蝕技術(shù),制備出砷化鎵基超材料。
俄羅斯莫斯科大學(Moscow State University)、美國桑迪亞國家實驗室(Sandia National Laboratories)和德國弗里德里希-席勒大學(Friedrich-Schiller University)研究人員組成的國際研究團隊利用砷化鎵納米顆粒,成功制備出一種超快可調(diào)諧超材料。
兩位科學家的一個發(fā)現(xiàn)可以推進下一代半導體器件的發(fā)展。能源部國家可再生能源實驗室(NREL)兩位科學家的發(fā)現(xiàn)可以幫助下一代半導體器件的發(fā)展。
低插入損耗、高線性度的全新RF電壓可變衰減器支持1MHz 到6GHz,擴展了IDT公司的頻率覆蓋范圍
近日消息,美過POET Technologies 預言,砷化鎵(Gallium arsenide,GaAs)很快就會取代矽,成為高性能晶片的材料選擇;而曾任職于貝爾實驗室(Bell Labs)的該公司共同創(chuàng)辦人暨首席科學家Geoff Taylor表示,上述論點自19
【導讀】GaAs芯片將成為未來移動終端的首選芯片 GaAs芯片得到廣泛應用 世界著名的數(shù)字信號芯片制造商CSR公司近日在接受記者采訪時透露,隨著數(shù)字芯片技術(shù)的不斷進步,砷化鎵(galliumarsenide , GaAs)
【導讀】傳統(tǒng)功率放大器(PA)均是以砷化鎵(GaAs)制作為主,CMOS多難跨越雷池一步。然而目前CMOS制程終于堂而皇之跨入功率放大器的領(lǐng)域之中,并陸續(xù)有相關(guān)廠商發(fā)表最新產(chǎn)品。專為無線應用提供功率放大器技術(shù)的無晶
【導讀】臺灣主要半導體廠第1季底時手中仍有1.5至2個月庫存,撐到6月中下旬應該沒有太大問題。但是,日本夏日限電政策,導致當?shù)毓虩o法全產(chǎn)能運行,若晶圓代工新訂單持續(xù)涌入,導致庫存快速去化,5月底就會發(fā)生晶
Peregrine最新推出了一款UItraCMOS Global 1全集成系統(tǒng)解決方案,它采用Peregrine的130納米RF-SOI工藝技術(shù)的UItraCMOS 10工藝技術(shù)平臺。這是業(yè)界又一次對GaAs RF器件提出了挑戰(zhàn)。 Global 1集成了三通道多模多頻段功
中國科學院半導體研究所常凱研究組,提出利用表面極化電荷在傳統(tǒng)常見半導體材料GaAs/Ge中實現(xiàn)拓撲絕緣體相。通過第一性原理計算和多帶k.p理論成功的證明了GaAs/Ge極化電荷誘導的拓撲絕緣體相,這為拓撲絕緣體的器件應
中國科學院半導體研究所常凱研究組提出利用表面極化電荷在傳統(tǒng)常見半導體材料GaAs/Ge中實現(xiàn)拓撲絕緣體相。通過第一性原理計算和多帶k.p理論成功地證明了GaAs/Ge極化電荷誘導的拓撲絕緣體相,這為拓撲絕緣體的器件應用