蘋(píng)果想要脫離三星,將芯片訂單轉(zhuǎn)給 TSMC 的消息謠傳已久,至今仍未成為現(xiàn)實(shí)。不過(guò)上周臺(tái)積電 CEO 張忠謀對(duì)旗下的 20 納米芯片做出十分大膽的預(yù)測(cè),他認(rèn)為 20 納米芯片的銷量在接下來(lái)兩年將超過(guò) 28 納米芯片。 對(duì)于
來(lái)自TheNextWeb的消息,在臺(tái)北召開(kāi)投資者會(huì)議上,臺(tái)積電(臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司TSMC)董事長(zhǎng)張忠謀宣布了一些利好消息。去年早些時(shí)候,臺(tái)積電的28納米生產(chǎn)一直和高通競(jìng)爭(zhēng),最終超過(guò)高通。今年臺(tái)積電28納米芯
北京時(shí)間1月18日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼CEO張忠謀表示,該公司去年在28納米制程工藝芯片市場(chǎng)的占有率接近100%,基于該工藝的晶圓出貨量今年將增長(zhǎng)2倍。分析師由此預(yù)計(jì),臺(tái)積電可能已經(jīng)獲得了蘋(píng)果未來(lái)A
騰訊科技訊(明雨)北京時(shí)間1月18日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼CEO張忠謀表示,該公司去年在28納米制程工藝芯片市場(chǎng)的占有率接近100%,基于該工藝的晶圓出貨量今年將增長(zhǎng)2倍。分析師由此預(yù)計(jì),臺(tái)積電可能已
【搜狐IT消息】北京時(shí)間1月18日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,臺(tái)積電主席張忠謀近日表示,臺(tái)積電很可能在2013年負(fù)責(zé)生產(chǎn)幾乎所有的28納米制式芯片。張忠謀的這一表態(tài)引發(fā)外界猜想,認(rèn)為蘋(píng)果很有可能將下一代A系列芯片的
北京時(shí)間12月5消息,據(jù)臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,英特爾首席技術(shù)官(CTO)賈斯廷·拉特納(Justin Rattner)12月4日表示,英特爾的14納米芯片技術(shù)開(kāi)發(fā)正在按計(jì)劃實(shí)施,將在1、2年內(nèi)開(kāi)始批量生產(chǎn)。18英寸晶圓的開(kāi)發(fā)正在
該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。“這款芯片代表了高級(jí)節(jié)點(diǎn)工藝
一群來(lái)自加拿大麥基爾大學(xué)(McGillUniversity)的物理學(xué)家們證實(shí),當(dāng)導(dǎo)線是由兩種不同的金屬組成時(shí),電流有可能會(huì)大幅度降低;這意味著未來(lái)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)可能遇到障礙。 上述研究人員是與美國(guó)汽車大廠通用(GM)研發(fā)部
中芯國(guó)際二期項(xiàng)目日前在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)奠基,將建設(shè)2條產(chǎn)能各為3.5萬(wàn)片的生產(chǎn)線。建成后將實(shí)現(xiàn)技術(shù)水平為32-28納米的芯片在國(guó)內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破,進(jìn)一步減弱國(guó)內(nèi)高技術(shù)芯片對(duì)進(jìn)口的依賴。該項(xiàng)目是本市
中芯國(guó)際二期項(xiàng)目日前在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)奠基,將建設(shè)2條產(chǎn)能各為3.5萬(wàn)片的生產(chǎn)線。建成后將實(shí)現(xiàn)技術(shù)水平為32-28納米的芯片在國(guó)內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破,進(jìn)一步減弱國(guó)內(nèi)高技術(shù)芯片對(duì)進(jìn)口的依賴。該項(xiàng)目是本市繼京東方8
昨日,中芯國(guó)際二期項(xiàng)目在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)奠基,將建設(shè)2條產(chǎn)能各為3.5萬(wàn)片的生產(chǎn)線。建成后將實(shí)現(xiàn)技術(shù)水平為32-28納米的芯片在國(guó)內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破,進(jìn)一步減弱國(guó)內(nèi)高技術(shù)芯片對(duì)進(jìn)口的依賴。該項(xiàng)目是本市繼京東方
昨日,中芯國(guó)際二期項(xiàng)目在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)奠基,將建設(shè)2條產(chǎn)能各為3.5萬(wàn)片的生產(chǎn)線。建成后將實(shí)現(xiàn)技術(shù)水平為32-28納米的芯片在國(guó)內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破,進(jìn)一步減弱國(guó)內(nèi)高技術(shù)芯片對(duì)進(jìn)口的依賴。該項(xiàng)目是本市繼京東方
本報(bào)訊(記者 湯一原 實(shí)習(xí)記者 孫奇茹)昨日,中芯國(guó)際二期項(xiàng)目在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)奠基,將建設(shè)2條產(chǎn)能各為3.5萬(wàn)片的生產(chǎn)線。建成后將實(shí)現(xiàn)技術(shù)水平為32-28納米的芯片在國(guó)內(nèi)量產(chǎn)“零”的突破,進(jìn)一步減弱國(guó)內(nèi)高技術(shù)
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)昨(10)日公布7月?tīng)I(yíng)收數(shù)字,合并營(yíng)收485.25億元,再創(chuàng)歷史新高,月增率更高達(dá)11.7%,不僅遠(yuǎn)優(yōu)于市場(chǎng)普遍預(yù)估的460億元,法人圈對(duì)于臺(tái)積電的好成績(jī)更是瞠目結(jié)舌,直指營(yíng)收成績(jī)好到令人無(wú)
晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)近日宣布,與Rambus共同發(fā)表雙方合作開(kāi)發(fā)的28納米兩款獨(dú)立存儲(chǔ)器架構(gòu)式矽測(cè)試芯片。格羅方德是臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一,28納米進(jìn)度下半年預(yù)計(jì)進(jìn)入量產(chǎn)。格羅方德宣布與Rambus合作的
意法半導(dǎo)體宣布,引領(lǐng)全球半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)的半導(dǎo)體代工廠商GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的FD-SOI(FullyDepletedSilicon-on-Insulator,全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的消
意法半導(dǎo)體宣布,引領(lǐng)全球半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)的半導(dǎo)體代工廠商GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的FD-SOI(FullyDepletedSilicon-on-Insulator,全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的消費(fèi)
意法半導(dǎo)體宣布,引領(lǐng)全球半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)的半導(dǎo)體代工廠商GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的FD-SOI(FullyDepletedSilicon-on-Insulator,全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的消費(fèi)
5月8日消息,日前,高通公司全球市場(chǎng)營(yíng)銷和投資者關(guān)系高級(jí)副總裁比爾?戴維森在接受騰訊科技專訪時(shí)表示,在第二財(cái)季高通MSM芯片出貨量達(dá)到1.52億片,與去年同期相比增長(zhǎng)了29%。此外,公司將增加運(yùn)營(yíng)支出,繼續(xù)提高28納
新浪科技訊北京時(shí)間5月3日早間消息,據(jù)臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,臺(tái)積電計(jì)劃提前生產(chǎn)20納米芯片生產(chǎn),這使得業(yè)界推測(cè)稱,臺(tái)積電將積極爭(zhēng)奪蘋(píng)果未來(lái)設(shè)備的處理器訂單。消息稱,由于臺(tái)積電目前28納米工藝芯片供貨不足,他