-
聯(lián)電與美商萊迪思半導體建立長期技術(shù)伙伴關(guān)系
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電 )日前宣布與美商萊迪思半導體(Lattice Semiconductor)建立長期技術(shù)伙伴關(guān)系。雙方將在聯(lián)電先進制程平臺上，持續(xù)現(xiàn)有的努力，攜手制造萊迪斯的非揮發(fā)性產(chǎn)品，并且進而將此合作
-
野村：缺成長動能，聯(lián)電Q3營收估季增僅0-5%
聯(lián)電 (2303)于9日公布6月營收，微幅月增0.9%來到92.89億元、年增1.13%，為去年5月以來新高，而總計聯(lián)電第2季營收則是季增16.22 %為276.2億元，亦略優(yōu)于法人先前預期的15%，表現(xiàn)亮眼。惟關(guān)于聯(lián)電后續(xù)表現(xiàn)，野村證券 (
-
聯(lián)電與Lattice策略合作，陸續(xù)推40/28 nm產(chǎn)品
聯(lián)電 (2330)今(10日)宣布與美商萊迪思半導體 ( Lattice Semiconductor Corporation )建立長期技術(shù)伙伴關(guān)系。雙方將在聯(lián)電先進制程平臺上，持續(xù)現(xiàn)有的努力，攜手制造萊迪斯的非揮發(fā)性產(chǎn)品，并進而將此合作關(guān)系迅速拓展
-
聯(lián)電、萊迪思 結(jié)盟長期技術(shù)伙伴
聯(lián)電(2303)今日宣布與美商萊迪思半導體(Lattice)建立長期技術(shù)伙伴關(guān)系。雙方將在聯(lián)華電子先進制程平臺上，持續(xù)現(xiàn)有的努力，攜手制造萊迪斯的非揮發(fā)性產(chǎn)品，并且進而將此合作關(guān)系迅速拓展到萊迪思其它的產(chǎn)品線上。萊迪
-
聯(lián)電6月營收連3月站上90億元 近13個月高點
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(9)日公告6月營收凈額為92.89億元，較上月92.06億元小幅增加，連3月站上90億元，來到近13個月高點，并較去年同期91.85億元增加1.13%，大致符合市場預期。聯(lián)電4-6月累計營收凈額來到約276.19億
-
聯(lián)電6月營收連3月站上90億元 近13個月高點
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(9)日公告6月營收凈額為92.89億元，較上月92.06億元小幅增加，連3月站上90億元，來到近13個月高點，并較去年同期91.85億元增加1.13%，大致符合市場預期。 聯(lián)電4-6月累計營收凈額來到約276
-
三星搶高通28奈米訂單巴克萊陸行之：對臺積電沖擊較小
據(jù)《工商時報》報導，三星搶下高通28 奈米Snapdragon S4 晶片組代工訂單，巴克萊陸行之認為，高通分散晶圓代工來源是既定政策，過去高通28奈米生意由臺積電(2330-TW)(TSM-US) 獨拿的情形，下半年恐將改變，但最終還得
-
聯(lián)電Q2營收季增16%，略優(yōu)于預期
聯(lián)電 (2303)今(9日)公布6月營收，微幅月增0.9%來到92.89億元、年增1.13%，為去年5月以來新高，累計聯(lián)電第2季營收則是季增16.22%為276.2億元，略優(yōu)于法人先前預期的15%。 聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉先前于法說會上預期，受益于
-
聯(lián)電Q2業(yè)績季增16.2%
(記者張建中新竹9日電)晶圓代工廠聯(lián)電第2季營收達新臺幣276.2億元，季增16.2%，表現(xiàn)優(yōu)于原預期的季增15%目標。聯(lián)電原本預期，第2季在通訊及消費性電子市場需求強勁帶動下，晶圓出貨量可望季增15%，產(chǎn)品平均售價將持平
-
Snapdragon S4芯片供不應求 高通求助于三星和聯(lián)電
7月6日高通的Snapdragon S4芯片憑借其相當出色的性能，一經(jīng)推出就獲得了非常不錯的市場反響，同時需求也在日益增加。最近高通為了解決產(chǎn)能不足的問題，將在原來由臺積電（TSMC）主要完成代工的基礎(chǔ)上，新增三星、聯(lián)電
-
傳高通與聯(lián)電、三星簽代工合約，28納米短缺明年紓解
因臺積電(2330)28納米制程供不應求，傳高通(Qualcomm)也與聯(lián)電、韓國三星等晶圓代工廠相繼簽定代工合約，預計將于今年第四季、明年上半年開始出貨。28納米目前產(chǎn)能吃緊的狀況預計明年初將可紓解。 據(jù)韓國時報(Korea
-
三星、聯(lián)電將為高通制造 Snapdragon S4 芯片
高通的 Snapdragon S4 芯片憑借其出色的性能在推出后獲得了非常好的反響，其市場需求也日益增加。為解決產(chǎn)能不足的問題高通日前做出決定，將在原來由臺積電（TSMC）主要完成代工的基礎(chǔ)上，新增三星、聯(lián)電（UMC）兩家
-
臺聯(lián)電購IBM 3D晶體管技術(shù) 代工前景依然樂觀
近日，臺灣芯片代工企業(yè)臺聯(lián)電宣布，其已經(jīng)獲得IBM 20nm COMS處理器的專利授權(quán)，另外還包括FinFET 3D晶體管技術(shù)專利，得以進行20nm以及3D芯片的開發(fā)研制。在3D晶體管這一CPU新興熱點上，臺聯(lián)電獲邁出了重要的一步，這
-
驍龍S4缺貨有望解決：傳高通與聯(lián)電三星簽訂代工協(xié)議
正如此前高通CEO所預告的一樣，該公司驍龍Snapdragon S4系列處理器的供應短缺狀況將通過更多的代工廠商來解決。今日業(yè)界資訊網(wǎng)站 EETimes援引臺灣中經(jīng)社旗下《經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)新聞》的報道稱，高通已經(jīng)和三星以及聯(lián)電（UMC）
-
IBM授權(quán)聯(lián)電業(yè)界第二家使用3D晶體管工藝
據(jù)國外媒體報道，臺灣芯片代工大廠聯(lián)電（UMC）上周末與IBM簽署了一項協(xié)議，前者將在后者幫助下研發(fā)并推出20nm CMOS制程工藝，并引入FinFET即3D晶體管技術(shù)。 聯(lián)電官方表態(tài)稱，IBM將其20nm制程工藝整套設計和FinFET
-
攜手IBM 聯(lián)電可望在晶圓代工扳回一城
聯(lián)電 ( UMC )稍早前宣布，與IBM達成協(xié)議，將加快其20nm制程及FinFET 3D 電晶體的發(fā)展，而此舉也很可能讓聯(lián)電成為唯一一家在20nm節(jié)點提供FinFET元件的純 ??晶圓代工廠。聯(lián)電正在努力扭轉(zhuǎn)局面。近年來，聯(lián)電和主要競爭
-
聯(lián)電Q2財測可望樂觀達陣股價大漲逾半根停板
市傳臺積電(2330-TW)(UMC-US)客戶猛追單，訂單外溢讓聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)受惠。法人預估聯(lián)電第二季業(yè)績目標應可樂觀達陣。聯(lián)電ADR罕見隨費半強漲后，聯(lián)電今(2)日股價也隨大盤攻上季線同步挑戰(zhàn)季線反壓，帶量跳空漲
-
聯(lián)電攻20奈米 杠臺積 獲IBM技術(shù)授權(quán) 加速CMOS制程開發(fā)
晶圓雙雄爭搶20奈米地盤鳴槍起跑! 晶圓代工「二哥」聯(lián)電（2303）攻進20奈米，昨（29）日宣布已取得IBM技術(shù)授權(quán)，將以FinFET 3D電晶體，促進次世代先進20奈米CMOS制程開發(fā)，與最快年底試產(chǎn)的臺積互別苗頭。 聯(lián)電昨
-
訂單外溢？張忠謀：臺積電仍與高通保持緊密友善合作關(guān)系
市傳臺積電28奈米制程產(chǎn)能供不應求，如高通(QCOM-US)訂單的外溢，轉(zhuǎn)使聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)受惠。對于高通「變心」傳言，臺積電(2330-TW)(TSM-US)張忠謀表示，與高通保持緊密友善的合作關(guān)系。 張忠謀是在中華民國
-
高通自蓋晶圓廠張忠謀：我懷疑
臺積電28奈米制程產(chǎn)能供不應求，傳出手機晶片大廠高通（Qualcomm）下單聯(lián)電，以解決產(chǎn)能短缺問題，甚至揚言自己蓋晶圓廠；臺積電董事長張忠謀昨日表示，「我很懷疑它（高通）會自己蓋晶圓廠?！怪劣趽粨穆?lián)電搶單
