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具有金屬源極和漏極觸點(diǎn)的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的介紹
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的最新進(jìn)展，對具有金屬源極和漏極觸點(diǎn)的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中，源極和漏極構(gòu)成硅化物，而不是傳統(tǒng)的雜質(zhì)摻雜硅。SB MOSFET 的一個(gè)顯著特征是一個(gè)特殊的二極管，如在 I d -V ds特性的三極管操作期間指數(shù)電流增加。當(dāng)在邏輯電路中應(yīng)用此類器件時(shí)，小偏置電壓極不可能發(fā)生，就會(huì)發(fā)生這種情況。
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Vishay 新款SMD肖特基勢壘整流器可為汽車和商業(yè)應(yīng)用節(jié)省寶貴空間
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出6顆采用超薄DO-219AB(SMF)封裝的表面貼裝肖特基勢壘整流器---SS1FL3、SS2FL3、SS1FL4、SS2FL4、SS1FH10
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Littelfuse公司的超低正向壓降肖特基勢壘整流器性能優(yōu)于傳統(tǒng)的開關(guān)二極管
21ic訊 力特公司迅速壯大的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合再添新成員——專為超低正向壓降(VF)設(shè)計(jì)的硅肖特基器件——適合用于高頻開關(guān)式電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器，以及作為續(xù)流和極性保護(hù)二極管使用。2016年
