臺積電已經(jīng)多次明確指出,3nm制程將于下半年規(guī)模投產(chǎn)。臺積電的3nm制程依舊延續(xù)FinFET(鰭式場效應(yīng))電晶體結(jié)構(gòu),而非三星那套難度更高的GAA(閘極全環(huán))電晶體。然而,臺積電明顯道行更深,知道當前制程節(jié)點命名混亂,誰的良率高顯然更能占得先機。
消息人士稱,臺積電的CoWoS技術(shù)是專門為HPC設(shè)備應(yīng)用設(shè)計的2.5D晶圓級多芯片封裝技術(shù),已經(jīng)投入生產(chǎn)近10年。憑借CoWoS,臺積電已經(jīng)從高性能計算處理器供應(yīng)商,如AMD贏得了大量訂單。
芯片代工行業(yè)在制程邁入10nm以內(nèi)后,面臨的成本壓力也越來越高。據(jù)SemiEngineering報道,IBS的測算顯示,10nm芯片的開發(fā)成本已經(jīng)超過了1.7億美元,7nm接近3億美元,5nm超過5億美元。如果要基于3nm開發(fā)出NVIDIA GPU
2018年5月17日,Innodisk將於臺北展期間發(fā)布最新SSD數(shù)據(jù)儲存技術(shù)iRetentionTM,通過創(chuàng)新研發(fā)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移機制,防止因溫度升高而造成SSD數(shù)據(jù)消失。針對容易受到高溫影響的工業(yè)應(yīng)用,以獨家固件技術(shù),智能調(diào)控數(shù)據(jù)儲存周期,進而延長SSD壽命。而宜鼎除了大力搶推最新的資料保存技術(shù)外,也將于展覽中展出3D NAND TLC產(chǎn)品,以及2666超高速寬溫規(guī)格DRAM,加以抗硫標準化市場利多釋出,以全方位嵌入式解決方案積極搶下車載、安全監(jiān)控、網(wǎng)通、國防等四大應(yīng)用市場。
韓媒 etnews 8 日報導,業(yè)界消息透露,最近三星系統(tǒng) LSI 部門找上美國和中國的 OSAT(委外半導體封裝測試業(yè)者),請他們開發(fā) 7、8 納米的封裝技術(shù)。據(jù)傳美廠手上高通訂單忙不完,未立即回覆。陸廠則表達了接單意愿。