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首款采用UFS 3.0存儲的手機(jī)即將亮相
三星Galaxy Fold原本應(yīng)該是第一款配備UFS 3.0存儲的手機(jī)，然而，大家都知道，該機(jī)屏幕以及其他問題迫使三星推遲其首款可折疊手機(jī)的上市時間。這會讓另一款手機(jī)奪得這個頭銜，根據(jù)XDA消息，該機(jī)是即將發(fā)布的一加7 Pro。一加7系列將于5月14日亮相，預(yù)計在8天后上市銷售。
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STM32筆記SD卡的讀寫和FatFS文件系統(tǒng)
因為要用，學(xué)習(xí)了一下SPI操作SD卡，同時移植了一個免費開源的FAT文件系統(tǒng)：FatFS。感覺挺好，在單片機(jī)上實現(xiàn)了讀寫文件的操作，接下來就可以解釋我的G代碼咯！ 我的SD卡底層操作參考了網(wǎng)上幾種常見的代碼，但又對
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AT24C128 EEPROM的讀寫
記錄AT24C128 eeprom的多字節(jié)讀寫#define_EEPROM_DEBUG_LEVEL0#if_EEPROM_DEBUG_LEVEL==1#defineEEPROM_DEBUG(fmt,args...)do{\\printf(fmt,##args);\\}while(0)#elif_EEPROM_DEBUG_LEVEL==2#defineEEPROM_DEBUG(fmt,a
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CPU對存儲器的讀寫（一、地址總線）
CPU對于內(nèi)存的讀寫是通過導(dǎo)線和內(nèi)存進(jìn)行傳輸數(shù)據(jù)，這些導(dǎo)線和平常電子元件常見的銅線一樣只是做的細(xì)罷了，這些導(dǎo)線在一起通常成為總線，為了區(qū)分這些總線傳輸?shù)膬?nèi)容邏輯上分為3類，地址總線（傳輸?shù)氖莾?nèi)存地址）
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51單片機(jī)內(nèi)部EEPROM的讀寫解析及例程
STC89C51、52內(nèi)部都自帶有2K字節(jié)的EEPROM，54、55和58都自帶有16K字節(jié)的EEPROM，STC單片機(jī)是利用IAP技術(shù)實現(xiàn)的EEPROM，內(nèi)部Flash擦寫次數(shù)可達(dá)100，000 次以上，先來介紹下ISP與IAP的區(qū)別和特點。ISP：In System Prog
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CPU對存儲器的讀寫（二、數(shù)據(jù)總線、控制總線）
二、數(shù)據(jù)總線CPU與內(nèi)存或其他器件的數(shù)據(jù)傳輸是通過數(shù)據(jù)總線來進(jìn)行的，CPU數(shù)據(jù)總線的針腳數(shù)決定了一次可傳輸?shù)奈粩?shù)，因為數(shù)據(jù)總線連接方式為并口所以8根針腳那么一次可傳輸8位既1個字節(jié)，16根針腳那么CPU是通過16跟導(dǎo)
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24C01的IIC 讀寫的C51程序
/*------------------------------------------------------------------------------為了安全起見,程序中很多NOP是冗余的,希望讀者能進(jìn)一步精簡,但必須經(jīng)過驗證。 Atmel 24C01 比較特殊,為簡約型. 51晶振為11.059
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PIC內(nèi)部EEPROM讀寫
從EEPROM中讀取數(shù)據(jù)步驟： 1、把地址寫入到地址寄存器EEADR中，注意該地址不能超過所用PIC1687X型號單片機(jī)內(nèi)部EEPROM實際容量。 2、把控制位EEPGD清零，以選定讀取對象為EEPROM數(shù)據(jù)存儲器。 3、把控制位RD置1，啟
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51proteus仿真：I2c總線和EEPROM2404的讀寫
仿真電路圖：仿真程序：#include#include#define uchar unsigned char#define uint unsigned intsbit SCL=P1^0;sbit SDA=P1^1;void delay(void){_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();}void InitI2C(void){ SDA = 1; SCL
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讀寫STM32內(nèi)部flash讀寫代碼
由于老師的要求，所以寫了一份讀寫STM32內(nèi)部FLASH的代碼，這樣的話就可以把STM32里面沒有用來保存代碼段的部分用來存儲數(shù)據(jù)了。由于《stm32flash編程手冊》是很久很久以前看的，現(xiàn)在也沒心情去仔細(xì)看那份手冊了。大概
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STM32的庫如何實現(xiàn)對同一組IO口的一部分引腳進(jìn)行讀寫
以寫數(shù)據(jù)為例，提供的函數(shù)有GPIO_SetBitsGPIO_ResetBitsGPIO_WriteBitGPIO_Write比如我在PD口的高八位接了個并行的數(shù)據(jù)線，低八位為控制，有輸入有輸出。怎么實現(xiàn)對高八位寫任意數(shù)而第八位不受影響呢。前兩個函數(shù)肯定
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S3C2440讀寫大容量SD卡
先了解一下SD卡協(xié)議方面的東西一、SD卡協(xié)議概要命令（Command）：在CMD線上，由主機(jī)發(fā)出響應(yīng)（Response）：在CMD線上，由被尋址的卡發(fā)出。數(shù)據(jù)（data）: 在數(shù)據(jù)線上，用DAT0或DAT0~DAT3。CRC校驗響應(yīng)及忙指示（The C
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心得：1602液晶模塊使用歸納
對1602的操作只有兩種，就是讀和寫，讀可以分為讀狀態(tài)(狀態(tài)寄存器)和讀數(shù)據(jù)(RAM中的)，寫可以分為寫指令和寫數(shù)據(jù)(寫入RAM中)，所有的操作時序只要遵循下表即可。
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給囚犯標(biāo)配蘋果iPad 英國咋想的？
給囚犯提供iPad，幫助他們在監(jiān)獄中學(xué)習(xí)并且和家人聯(lián)系。
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SD卡的管腳排列和總線讀寫方式
SD卡的引腳定義： 管腳排列和總線讀寫方式" name="image_operate_52221302162801312" real_src="http://s12.sinaimg.cn/middle/5e374701ga04f0776e47b&690" src="http://
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如何讓linux服務(wù)器磁盤io性能翻倍
一 機(jī)械磁盤的io的速度主要受“尋道速度”的限制，所以在訪問小文件時io性能會極差。如果不在乎成本，可以通過使用固態(tài)硬盤來解決這個問題。二 linux的主流文件
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Sidense采用16nm工藝成功演示1T-OTP的讀寫能力
和20納米標(biāo)準(zhǔn)晶體管比較，3D 16納米 FinFET具有更高性能、更低動態(tài)功耗，更小晶體管體積等優(yōu)點。近日，Sidense公司就采用16納米CMOS FinFET工藝技術(shù)制造的測試芯片，成功演示了1T-OTP位單元架構(gòu)的讀寫能力。Sidense
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納米鐵電技術(shù)有新法
【導(dǎo)讀】鐵電材料（Ferroelectric）是次世代非揮發(fā)記憶體FeRAM的關(guān)鍵成分，它是一種介電質(zhì)，擁有自發(fā)性和可反轉(zhuǎn)的雙電極，能給記憶體在耐用度和讀寫功能有大幅提升。日前日本國家材料科學(xué)研究所研發(fā)出一種新的鐵電生
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上海華虹1億元出售北京華虹
【導(dǎo)讀】上海聯(lián)合產(chǎn)權(quán)交易所消息，上海華虹集成電路有限責(zé)任公司近日掛牌出售北京華虹集成電路設(shè)計有限責(zé)任公司90%股權(quán)，掛牌價為10757.51萬元。 上海聯(lián)合產(chǎn)權(quán)交易所消息，上海華虹集成電路有限責(zé)任公司近日掛牌出
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鐵電存儲器提高智能表存儲的可靠性
【導(dǎo)讀】隨著儀器儀表信息化、智能化的發(fā)展，傳統(tǒng)機(jī)械計量設(shè)備已經(jīng)無法滿足信息及時采集的要求。而鐵電存儲器將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起，它的廣泛應(yīng)用為儀
