NI隔離式DIO/TIO卡獲ECN年度獎(jiǎng)

NI隔離式DIO/TIO卡獲ECN年度技術(shù)成果大獎(jiǎng)

在美國(guó)ECN雜志一年一度的技術(shù)成果大獎(jiǎng)評(píng)選中，NI公司于2004年第一季度推出的3款隔離式DIO/TIO卡金榜題名，位列板卡和模塊產(chǎn)品類(lèi)(Boards and Modules category of the ECN Technology Awards)首位。獲獎(jiǎng)的這3款產(chǎn)品包

具有寬占空因子范圍的隔離式 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

圖 1 所示電路主要用途是用于驅(qū)動(dòng)頻率范圍為 1 Hz 至 300 kHz、占空因子為 0 ~ 100%的功率 MOSFE

基于串行外設(shè)接口(SPI)的CAN總線隔離擴(kuò)展設(shè)計(jì)

介紹了利用SPI口實(shí)現(xiàn)CAN總線隔離擴(kuò)展的一種通信控制系統(tǒng)，詳細(xì)敘述了此通信控制系統(tǒng)中主從通信模塊的硬件設(shè)計(jì)控制，軟件設(shè)計(jì)流程及實(shí)現(xiàn)方法。

基于串行外設(shè)接口(SPI)的CAN總線隔離擴(kuò)展設(shè)計(jì)

介紹了利用SPI口實(shí)現(xiàn)CAN總線隔離擴(kuò)展的一種通信控制系統(tǒng)，詳細(xì)敘述了此通信控制系統(tǒng)中主從通信模塊的硬件設(shè)計(jì)控制，軟件設(shè)計(jì)流程及實(shí)現(xiàn)方法。

飛兆半導(dǎo)體推出全新3.3V 和5V隔離達(dá)林頓光耦合器系列為RS-232至3.3V邏輯接口

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 進(jìn)一步擴(kuò)展其隔離達(dá)林頓光耦合器系列，推出5種最新產(chǎn)品，采用單及雙溝道配置，提供3.3V或5V工作電壓的低功耗特性。雙溝道HCPL0730和 HCPL0731光耦合器提供5V電壓操作和SOI

我國(guó)電子政務(wù)內(nèi)外網(wǎng)隔離 1年時(shí)間建成平臺(tái)

從國(guó)家信息化領(lǐng)導(dǎo)小組第一次會(huì)議上了解到，國(guó)家主管部 門(mén)將把電子政務(wù)建設(shè)作為今后一個(gè)時(shí)期我國(guó)信息化工作的重點(diǎn)，其工作重心就是要建立一個(gè)安全而 統(tǒng)一的電子政務(wù)網(wǎng)絡(luò)。 國(guó)家信息化領(lǐng)導(dǎo)小組有關(guān)負(fù)責(zé)人表

IR推出運(yùn)行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊

功率半導(dǎo)體專(zhuān)家國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出全新MTP隔離式開(kāi)關(guān)模塊系列，它們以氮化鋁陶瓷層進(jìn)行絕緣，在結(jié)點(diǎn)與外殼間發(fā)揮更佳導(dǎo)熱性能。該絕緣層的熱傳導(dǎo)性 (冷卻能力) 比用于同類(lèi)器件的

電子政務(wù)：標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)該先行廠商等待機(jī)會(huì)

電子政務(wù)中包含人事、公文等不下數(shù)十種標(biāo)準(zhǔn)的“零部 件”，如果將這些“零部件”都進(jìn)行規(guī)范化和標(biāo)準(zhǔn)化，不僅可以節(jié)約大量的資源，而且軟件的質(zhì) 量、升級(jí)更新等都有可靠的保證。但是誰(shuí)來(lái)做呢？ 當(dāng)前電子政

北京市今天下達(dá)總動(dòng)員令 “新中關(guān)村”6月亮相

北京市向市民、全國(guó)、世界承諾的“新中關(guān)村”到底什么樣？在 經(jīng)過(guò)近三年的建設(shè)后，今年6月底前，隨著中關(guān)村西區(qū)、軟件園、生命科學(xué)園等一大批重點(diǎn)項(xiàng)目揭 開(kāi)面紗，北京市的老百姓將看到一個(gè)“既熟悉又新鮮”的新中