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功率器件不僅要做頂部散熱，還要實(shí)現(xiàn)頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)化
隨著物理極限的迫近，僅僅通過(guò)芯片內(nèi)部創(chuàng)新設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片極限的提高，已經(jīng)愈發(fā)困難。功率IC的高功率密度追求，可以通過(guò)頂部散熱的封裝方式來(lái)提高，這已經(jīng)是被印證的行之有效的方法。
隨著物理極限的迫近，僅僅通過(guò)芯片內(nèi)部創(chuàng)新設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片極限的提高，已經(jīng)愈發(fā)困難。功率IC的高功率密度追求，可以通過(guò)頂部散熱的封裝方式來(lái)提高，這已經(jīng)是被印證的行之有效的方法。
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