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飛兆半導體3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET
隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高
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飛兆半導體推出3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET
21ic訊 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm
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飛兆半導體推出3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET
21ic訊 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm
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Power Integrations被裁定侵犯飛兆專利權(quán)其提出新專利訴訟
在美國地區(qū)法院陪審團裁定關(guān)于Power Integrations侵犯飛兆半導體有關(guān)初級端調(diào)節(jié)技術(shù)的美國專利的指控成立后數(shù)天，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor，簡稱“飛兆半導體”
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飛兆半導體推出新型柵極驅(qū)動光耦合器
21ic訊 太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)以及馬達驅(qū)動等大功率工業(yè)應用需要能夠處理690VAC以上電網(wǎng)電壓和高于1000 VDC恒定直流電壓的柵極驅(qū)動光耦合器。為了達到這個目標，爬電距離和間隙距離至少要達到10mm。同樣地，
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Power Integrations被裁定侵犯飛兆半導體專利權(quán)
在美國地區(qū)法院陪審團裁定關(guān)于Power Integrations侵犯飛兆半導體有關(guān)初級端調(diào)節(jié)技術(shù)的美國專利的指控成立后數(shù)天，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor，簡稱“飛兆半導體”
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Power Integrations被裁定侵犯飛兆專利權(quán)其提出新專利訴訟
在美國地區(qū)法院陪審團裁定關(guān)于Power Integrations侵犯飛兆半導體有關(guān)初級端調(diào)節(jié)技術(shù)的美國專利的指控成立后數(shù)天，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor，簡稱“飛兆半導
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飛兆半導體推出智能高側(cè)開關(guān)系列
21ic訊 在現(xiàn)今的汽車應用中，設(shè)計人員需要把大電流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性負載，這類應用包括：白熾燈、電機控制和加熱器件等?，F(xiàn)在要實現(xiàn)這一目的，設(shè)計人員不得不依賴分立式或機電式解決方案，或是受制
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飛兆與包爾英特的專利之爭：初步裁定結(jié)果
飛兆半導體周五宣布，一個聯(lián)邦陪審團裁定包爾英特侵犯了其一項美國專利，而飛兆半導體則侵犯了包爾英特的兩項專利權(quán)。美國特拉華州地方法院的聯(lián)邦陪審團裁定包爾英特的LinkSwitch II和LinkSwitch-CV系列產(chǎn)品侵犯了專
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飛兆與包爾英特的專利之爭：初步裁定結(jié)果
飛兆半導體周五宣布，一個聯(lián)邦陪審團裁定包爾英特侵犯了其一項美國專利，而飛兆半導體則侵犯了包爾英特的兩項專利權(quán)。美國特拉華州地方法院的聯(lián)邦陪審團裁定包爾英特的LinkSwitch II和LinkSwitch-CV系列產(chǎn)品侵犯了專
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飛兆半導體推出智能高側(cè)開關(guān)系列
21ic訊 在現(xiàn)今的汽車應用中，設(shè)計人員需要把大電流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性負載，這類應用包括：白熾燈、電機控制和加熱器件等。現(xiàn)在要實現(xiàn)這一目的，設(shè)計人員不得不依賴分立式或機電式解決方案，或是受制
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飛兆榮獲王氏港建科技頒發(fā)供應商獎項
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布榮獲王氏港建科技有限公司(WKK Technology Limited, WKKT) 頒發(fā)供應商獎。王氏港建科技是總部位于香港的全球性電子制造服務(wù)(EMS)
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飛兆榮獲王氏港建科技頒發(fā)供應商獎項
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布榮獲王氏港建科技有限公司(WKK Technology Limited, WKKT) 頒發(fā)供應商獎。王氏港建科技是總部位于香港的全球性電子制造服務(wù)(EMS)
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飛兆半導體榮獲EMS供應商王氏港建科技頒發(fā)供應商獎項
4月25日，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布榮獲王氏港建科技有限公司(WKK Technology Limited, WKKT) 頒發(fā)供應商獎。王氏港建科技是總部位于香港的全球性電子制造
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飛兆半導體榮獲王氏港建科技頒發(fā)供應商獎項
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布榮獲王氏港建科技有限公司(WKK Technology Limited, WKKT) 頒發(fā)供應商獎。王氏港建科技是總部位于香港的全球性電子制造服務(wù)(EMS)
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飛兆半導體榮獲領(lǐng)先EMS供應商王氏港建科技頒發(fā)供應商獎項
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布榮獲王氏港建科技(WKK Technology Limited, WKKT) 頒發(fā)供應商獎。王氏港建科技是總部位于香港的全球性電子制造服務(wù)(EMS)企業(yè)，而
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飛兆半導體榮獲大中國區(qū)領(lǐng)先EMS供應商
21ic訊 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布榮獲王氏港建科技有限公司(WKK Technology Limited, WKKT) 頒發(fā)供應商獎。王氏港建科技是總部位于香港的全球性電子制造服務(wù)(EMS)企業(yè)，而飛兆半導體一直為該公司
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飛兆半導體推出30V PowerTrench® MOSFET
21ic訊 在能源效率標準和最終系統(tǒng)要求的推動之下，電源設(shè)計人員需要有助于縮減其應用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.
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飛兆半導體推出30V PowerTrench® MOSFET
21ic訊 在能源效率標準和最終系統(tǒng)要求的推動之下，電源設(shè)計人員需要有助于縮減其應用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.
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飛兆半導體推出增強型Class-D放大器
消費者對響亮清晰的揚聲器音頻的要求，推動了對于更長電池使用時間和高效率的需求，這成為設(shè)計人員在便攜產(chǎn)品設(shè)計中實現(xiàn)“讓小型揚聲器更響亮清晰”的目標時所面對的兩項挑戰(zhàn)。飛兆半導體公司以其不斷增長
