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高介電常數(shù)柵電介質(zhì)/金屬柵極的FA CMP技術(shù)
高介電常數(shù)柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)(以下簡稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節(jié)點(diǎn)得以延續(xù)。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是“先柵極”和“后柵極”?！昂髺艠O”又稱為可替換柵極(以下簡稱RMG)，使用該工藝時(shí)高介電常數(shù)柵電介質(zhì)無需經(jīng)過高溫步驟，所以VT偏移很小，芯片的可靠性更高。
高介電常數(shù)柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)(以下簡稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節(jié)點(diǎn)得以延續(xù)。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是“先柵極”和“后柵極”?！昂髺艠O”又稱為可替換柵極(以下簡稱RMG)，使用該工藝時(shí)高介電常數(shù)柵電介質(zhì)無需經(jīng)過高溫步驟，所以VT偏移很小，芯片的可靠性更高。
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