三星宣布,新加入了11nm LPP工藝,性能比此前的14nm提升了15%,單位面積的功耗降低了10%。三星將于9月15日在東京舉辦的半導(dǎo)體會(huì)議上公布,未來的技術(shù)還會(huì)有所提升。
泰克全棧式電源測(cè)試解決方案來襲,讓AI數(shù)據(jù)中心突破性能極限
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