三星或于下年推出7nm和11nm半導體工藝
三星宣布,新加入了11nm LPP工藝,性能比此前的14nm提升了15%,單位面積的功耗降低了10%。三星將于9月15日在東京舉辦的半導體會議上公布,未來的技術(shù)還會有所提升。
三星表示,10nm用于旗艦手機,11nm用于中高端,來提供給不同需求,預計2018年上半年在市場投放。與此同時,三星也成為了市場上最先確認7nm的企業(yè),其7nm LPP定于2018下半年量產(chǎn),采用EUV極紫外光刻技術(shù)。
三星宣布,新加入了11nm LPP工藝,性能比此前的14nm提升了15%,單位面積的功耗降低了10%。三星將于9月15日在東京舉辦的半導體會議上公布,未來的技術(shù)還會有所提升。
三星表示,10nm用于旗艦手機,11nm用于中高端,來提供給不同需求,預計2018年上半年在市場投放。與此同時,三星也成為了市場上最先確認7nm的企業(yè),其7nm LPP定于2018下半年量產(chǎn),采用EUV極紫外光刻技術(shù)。
LED驅(qū)動電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。
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關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動電源 開關(guān)電源