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三星計劃推出32Gb的DDR5芯片，使其能夠在2023年末或2024年初制造1TB的內(nèi)存模塊
DDR5是一種計算機內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標準性能更強，功耗更低。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。
DDR5是一種計算機內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標準性能更強，功耗更低。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。
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