DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。目前還沒(méi)有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)，AMD預(yù)計(jì)會(huì)在2021年的Zen4處理器上更換插槽，支持DDR5內(nèi)存，而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒(méi)有明確過(guò)DDR5內(nèi)存支持，官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會(huì)上DDR5，而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品，消費(fèi)級(jí)的估計(jì)還要再等等。

8 月 20 日消息，作為電腦必不可少的硬件，內(nèi)存的容量從來(lái)都是越大越好。近日，三星跟 AMD 的內(nèi)存專家舉辦了溝通會(huì)，探討了三星在 DDR5 內(nèi)存方面的發(fā)展，其中就談到了 DDR5 內(nèi)存容量的問(wèn)題。

跟此前的 DDR4 相比，DDR5 內(nèi)存將電壓降低到了 1.1V，頻率可達(dá)到 7200MHz 以上，bank 數(shù)量翻倍到 32 個(gè)，預(yù)取位數(shù)也翻倍到 16n。三星計(jì)劃在 2023 年將內(nèi)存核心容量提高到 32Gb，堆棧層數(shù)提高到 8H。在 2024 年，三星計(jì)劃推出 1TB 單條 DDR5 內(nèi)存，該內(nèi)存將使用 32 個(gè) 8-Hi 32GB 堆棧，適配 2024 年-2025 年發(fā)布的服務(wù)器平臺(tái)。

除了容量提升，三星還計(jì)劃進(jìn)一步提升 DDR5 內(nèi)存的速度。三星 PPT 顯示其將在 2025 年發(fā)布 DDR5-7200，預(yù)計(jì)其傳輸速率將達(dá)到 10，000+MT / s。

了解到，此前有消息稱，三星正在開發(fā) DDR6 內(nèi)存，該內(nèi)存將采用 MSAP 封裝技術(shù)，預(yù)計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)大約 12800Mbps 的傳輸速率。對(duì)于 DDR6 內(nèi)存，單條達(dá)到 1TB 應(yīng)該較為輕松。不過(guò)現(xiàn)在看來(lái) ，三星可能在 DDR5 時(shí)代就實(shí)現(xiàn)單條 1TB 的設(shè)計(jì)。

雖然單條 1TB 對(duì)于消費(fèi)者來(lái)說(shuō)成本太高，但對(duì)于服務(wù)器平臺(tái)來(lái)說(shuō)容量更為重要。目前，Zen4 架構(gòu)的 EPYC 7004 系列可以做到 96 大核或者 128 小核，這意味著其對(duì)內(nèi)存的需求越來(lái)越高。

為了支持英特爾和AMD下一代平臺(tái)，三星準(zhǔn)備推出一系列全新的DDR5內(nèi)存模塊，比如基于16Gb和24Gb的DDR5芯片的業(yè)界首款512GB RDIMM/LRDIMM。在近期三星和AMD的內(nèi)存研討會(huì)上，雙方探討了DDR5內(nèi)存技術(shù)上的新方向，同時(shí)三星透露了其DDR5的開發(fā)計(jì)劃。

據(jù)TomsHardware報(bào)道，三星計(jì)劃在2023年初，推出32Gb的DDR5芯片，使其能夠在2023年末或2024年初制造1TB的內(nèi)存模塊。32Gb DDR5芯片用于客戶端PC的首款產(chǎn)品是單條32GB內(nèi)存，大概在2023年末就能看到。三星DRAM規(guī)劃部門的工程師Aaron Choi表示，32Gb DDR5芯片目前正在一個(gè)新的制程節(jié)點(diǎn)(低于14nm)上進(jìn)行開發(fā)。

三星表示，一旦使用32Gb DDR5芯片的內(nèi)存在產(chǎn)量上與16Gb DDR5相當(dāng)，那么單面32GB的內(nèi)存價(jià)格將變得非常合理，即便用戶想為系統(tǒng)配備128GB內(nèi)存也不用花太多的錢。雖然內(nèi)存容量很重要，但對(duì)于那些發(fā)燒友來(lái)說(shuō)，內(nèi)存的頻率也很重要，為此三星積極地提高DDR5內(nèi)存的頻率。

隨著英特爾和AMD下一代平臺(tái)的發(fā)布，DDR5內(nèi)存頻率將提高到5200MHz到5600MHz的區(qū)間。部分內(nèi)存廠商會(huì)制造6800MHz到7000MHz的高頻DDR5內(nèi)存，不過(guò)這需要提高電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。三星計(jì)劃到2025年，在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的1.1V電壓下，將DDR5的頻率提高到7200MHz或以上，不過(guò)沒(méi)有透露具體的產(chǎn)品什么時(shí)候出來(lái)，這意味著市面上可能會(huì)有10000MHz或以上頻率的DDR5內(nèi)存出售。

時(shí)隔將近一年，無(wú)論是12代酷睿處理器還是600系列主板，其產(chǎn)品線已經(jīng)愈發(fā)完整，價(jià)格也趨于穩(wěn)定，新一代硬件組合憑借強(qiáng)大的性能和出色的性價(jià)比，已逐漸成為市場(chǎng)主流，而DDR5內(nèi)存由于還處在開發(fā)上升階段，再加上用戶的需求以及成本等因素，短時(shí)期難以取締DDR4內(nèi)存的主流地位。

用戶升級(jí)DDR5平臺(tái)最大的困擾，莫過(guò)于要連帶主板和CPU一起進(jìn)行更新，且D5和D4版本的600系列主板在內(nèi)存方面互不兼容，但如果是想嘗鮮新一代電腦主機(jī)或攢新機(jī)的用戶，DDR5+12代酷睿平臺(tái)無(wú)疑更具吸引力，且依舊可以追求性價(jià)比，影馳DDR5金屬大師系列內(nèi)存便是不錯(cuò)的選擇。

對(duì)于想嘗鮮新一代入門級(jí)電腦主機(jī)的玩家，i3十二代酷睿CPU搭配H610系列主板便能釋放入門級(jí)DDR5內(nèi)存的性能，滿足大部分游戲、日常使用需求，普通板U套裝目前市場(chǎng)價(jià)在1-1.5k，影馳金屬大師DDR5-4800內(nèi)存現(xiàn)天貓旗艦店單根16G活動(dòng)價(jià)為549元，金屬大師DDR5-5200內(nèi)存單根16G當(dāng)前活動(dòng)價(jià)為599元。

金屬大師DDR5內(nèi)存采用了簡(jiǎn)約金屬線條設(shè)計(jì)，全金屬外殼散熱器，輔以導(dǎo)熱硅膠強(qiáng)勁散熱;外形上銀灰底色與銀白色批花工藝相互輝映，帶來(lái)十足的金屬質(zhì)感，配合高品質(zhì)鋁合金沖壓工藝打造凹凸臺(tái)階面，能反射機(jī)箱內(nèi)部其他發(fā)光部件燈光，營(yíng)造“無(wú)燈勝有燈”的氛圍。

影馳DDR5金屬大師系列內(nèi)存單根容量為16G，組成雙通道容量為32GB，配合4800/5200MHz高頻帶來(lái)疾速使用體驗(yàn)，足以應(yīng)對(duì)日常游戲、工作需求。其精選原廠優(yōu)質(zhì)DRAM顆粒以及采用8層黑色定制PCB，追求穩(wěn)定耐用，可手動(dòng)進(jìn)行超頻，堪稱新一代DDR5內(nèi)存入門優(yōu)選。