南亞科總經(jīng)理李培瑛表示,今年上半年受全球經(jīng)濟(jì)放緩、中美貿(mào)易戰(zhàn)、關(guān)稅提高造成供應(yīng)鏈調(diào)整與CPU 短缺等因素影響,預(yù)期DRAM 市場上半年市況保守,第1 季度價格下跌幅度可能與去年第4 季的下滑1 成相近,第2 季目前仍難以預(yù)期。
具體來說,美光科技將在DRAM和NAND閃存領(lǐng)域的投資較之前的計(jì)劃減少12.5億美元。南亞和海力士計(jì)劃各自降價40%。三星電子(Samsung Electronics)可能也會效仿。
由于需求疲弱,繼三星、美光和南亞科后,韓國存儲器大廠SK海力士決定將今年資本支出大砍四成。
近日,據(jù)接近福建晉華和聯(lián)電的兩位知情人士透露,由于美國的出口禁令,福建晉華正在即將消耗盡其庫存的進(jìn)口材料,而這些材料對保證工廠的運(yùn)作至關(guān)重要。
受中美貿(mào)易戰(zhàn)、全球IT產(chǎn)業(yè)景氣低迷影響,今年存儲器半導(dǎo)體市場得度過一段寒冬,SK海力士預(yù)計(jì)將設(shè)備投資比去年減少4成。另一方面,隨著服務(wù)器用DRAM和NAND閃存的需求和價格一同下跌,SK海力士計(jì)劃靈活應(yīng)對市場行情。
SK海力士于24日公布2018年第四季財報,并在電話會議中表示:“與去年相比,2019年的設(shè)備投資金額將減少40%左右?!?
據(jù)金融情報公司FnGuide透露,預(yù)計(jì)SK海力士去年第四季的營業(yè)利益為51964億韓元。雖然與去年同期相比增長了16%,但營業(yè)利益比創(chuàng)下歷史最高紀(jì)錄的前一季(64724億韓元)減少了約15~20%,整整少了1萬億韓元以上。
DRAM長達(dá)兩年的榮景從去年下半年開始進(jìn)入尾聲,第四季度價格已遇逆風(fēng)。DRAMeXchange最新報告指出,今年第一季度DRAM的合約價將由原先預(yù)估較前一季衰退15%,擴(kuò)大到近20%。
近期,集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心發(fā)布最新數(shù)據(jù),2019年DRAM產(chǎn)業(yè)總資本投入約180億美元,年減約10%。不久,三大DRAM存儲廠商發(fā)布最新業(yè)績報告,調(diào)低2019年DRAM資本支出。投資放緩,DRAM市場即將迎來新變動。
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2018年12月正值歐美年節(jié)時期,DRAM成交量清淡,因此不列入合約價計(jì)算,意味著12月份合約價與11月份大致持平。主流模組8GB均價仍在60美元左右,而4GB約在30美元水位,但兩種模組的最低價分別已跌破60與30美元關(guān)卡。
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)的調(diào)查數(shù)據(jù),2019年第一季度的內(nèi)存合約價議定已在上個月進(jìn)行,預(yù)期1月份合約價將較上一個月份下跌至少10個百分點(diǎn),而且會在第一季度擴(kuò)大到近20%。
據(jù)韓媒報道,得益于最新紅外(IR)測量設(shè)備商業(yè)化的推動,韓國設(shè)備廠商SemiLAB Korea正加快腳步進(jìn)軍半導(dǎo)體市場。SemiLAB是全球第四大半導(dǎo)體測試解決方案供應(yīng)商,提供靈活的測試解決方案用于半導(dǎo)體材料、工藝監(jiān)控,測試設(shè)備被廣泛應(yīng)用于光伏、半導(dǎo)體、科研以及平板測試領(lǐng)域。
據(jù)AnandTech報道,東芝宣布了旗下第四代的BGA SSD產(chǎn)品,即BGA4。該系列是對前代BG3的一次重大升級。
不過為什么這些上游廠商隨心所欲,從外人看來似乎把增產(chǎn)和減產(chǎn)當(dāng)成是兒戲?或許下面這幾點(diǎn)是它們能夠決定內(nèi)存市場的底氣。
面對市場的下行壓力,中國尚在起步階段的存儲器行業(yè)要實(shí)現(xiàn)自己的夢想,就需采取更為靈活的策略來應(yīng)對。12月24日,紫光存儲科技有限公司與群聯(lián)電子股份有限公司建立的戰(zhàn)略聯(lián)合就是一個可供業(yè)內(nèi)參考的范本。
近來,DRAM和NAND Flash全球價格雙雙下跌。對于存儲芯片廠商來說,這個冬天不好過,有的緊衣縮食,有的報團(tuán)取暖。展望2019年,存儲器產(chǎn)業(yè)是否還會持續(xù)低迷?
英特爾曾表示其嵌入式 MRAM 技術(shù)可在200℃下實(shí)現(xiàn)長達(dá) 10 年的記憶期,并可在超過 106 個開關(guān)周期內(nèi)實(shí)現(xiàn)持久性。并且英特爾在其 22 FFL 工藝中,描述 STT-MRAM (基于 MRAM 的自旋轉(zhuǎn)移力矩) 非易失性存儲的關(guān)鍵特性。英特爾稱之其為“首款基于 FinFET 的 MRAM 技術(shù)”。
美光公司今天發(fā)布了截至11月29日的2019財年Q1季度財報,當(dāng)季營收79.1億美元,同比增長16%,毛利率達(dá)到了58%,凈利潤32.9億美元,同比增長23%。
大聯(lián)大品佳代理的華邦電子的利基型動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存專注中低密度,以高性能和高速度的特點(diǎn),成為在消費(fèi)、通信、計(jì)算機(jī)周邊、工業(yè)和汽車市場被廣泛地使用的領(lǐng)導(dǎo)品牌。完整的動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存解決方案經(jīng)過AEC-Q100、TS16949、ISO9001/14001、OHSAS18001認(rèn)證,可提供給工業(yè)、汽車和其他的客戶應(yīng)用。