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DRAM合約價漲3.17%
去年12月下旬動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)合約價持續(xù)走揚，較12月上旬攀升3.17%。DRAM現(xiàn)貨價強勁彈升，帶動12月上旬DRAM合約價較11月下旬上漲2%，12月下旬合約價維持揚升走勢。根據(jù)集邦科技調(diào)查，12月下旬市場主流的4GB模
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預(yù)估：2012年全球半導(dǎo)體業(yè)營收成長不足1%
最新半導(dǎo)體應(yīng)用預(yù)測報告顯示，2012年全球半導(dǎo)體業(yè)營收成長緩慢，尚不足1%，預(yù)估整體營收總額達3040億美元。但2013年營收將會成長4.9%，達3190億美元。報告預(yù)計，2011年～2016年，半導(dǎo)體業(yè)營收年復(fù)合成長率為4.1%，4年
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鴻夏戀還談不談？夏普虧損擴大，鴻海冷處理
夏普周四發(fā)布示警，預(yù)估年度虧損攀高到4500億日圓（約1640億元臺幣），社長奧田隆司坦承，企業(yè)存續(xù)有「重大疑慮」，令市場聯(lián)想DRAM廠爾必達破產(chǎn)前夕。昨（2）日夏普股價下跌2.37％，以165日圓作收。奧田表示，仍與鴻
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Gartner：全球半導(dǎo)體營收估減3％
國際研究暨顧問機構(gòu)Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計結(jié)果，2012年全球半導(dǎo)體營收總計為2,976億美元，較2011年的3,070億美元下滑3％。全球前25大半導(dǎo)體廠商營收衰退4.2％，跌幅大于業(yè)界平均水平，同時對全球半導(dǎo)體營收之貢獻比重亦
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茂德中科出售晶圓廠世界先進壓價
茂德中科12英寸晶圓廠出售案經(jīng)第2次流標(biāo)后，目前正與世界先進進行議價。世界先進希望將標(biāo)價壓低至100億元內(nèi)，讓公司能擁有成立以來的第一座12英寸晶圓廠，但是世界先進不愿對此進行評論。茂德中科廠今年11月底第一次
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全球半導(dǎo)體營收估減3％
國際研究暨顧問機構(gòu)Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計結(jié)果，2012年全球半導(dǎo)體營收總計為2,976億美元，較2011年的3,070億美元下滑3％。全球前25大半導(dǎo)體廠商營收衰退4.2％，跌幅大于業(yè)界平均水平，同時對全球半導(dǎo)體營收之貢獻比重亦
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茂德賣廠 世界砍價至百億內(nèi)
茂德中科12寸晶圓廠出售案經(jīng)第2次流標(biāo)后，目前正與世界先進進行議價。 世界先進希望將標(biāo)價壓低至100億元內(nèi)，讓公司能擁有成立以來的第一座12寸晶圓廠，但是世界先進不愿對此進行評論。 茂德中科廠今年11月底第一次
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第三季度全球移動DRAM出貨量環(huán)比大增
據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場動態(tài)簡報，第三季度移動DRAM市場爆發(fā)，廠商抓緊為平板電腦和智能手機生產(chǎn)內(nèi)存芯片，迎接圣誕銷售旺季。但不是所有供應(yīng)商都表現(xiàn)同樣良好。第三季度移動DRAM的全球出貨量環(huán)比大增37%，這是
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三星電子全球動態(tài)隨機存儲器市場占有率超57%
據(jù)韓聯(lián)社12月23日消息，據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)iSuppli的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，三星電子今年1-3季度銷售的移動動態(tài)隨機存儲器(DRAM)以1Gb為基準計算達21.025億個，在全球DRAM市場中的份額達57.05%。 三星電子今年前三季度的銷量和去年全
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移動終端引領(lǐng)存儲器需求，NOR和DRAM各有困擾
這兩年，移動存儲器市場增長的主要動力來自手機、平板等移動終端，NAND與NOR閃存市場格局變化迅速，越來越先進的手機扮演主導(dǎo)角色，左右著該產(chǎn)業(yè)的趨勢，并決定供應(yīng)商的成敗。DRAM在PC市場需求的下滑，在移動市場找到
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歷史上第一次 今年閃存銷量超越DRAM
根據(jù)IC Insights研究報告顯示，受智能手機，平板電腦，和其他個人媒體設(shè)備需求驅(qū)動，包括NAND和NOR在內(nèi)的閃存市場今年銷售額增長2%，達到304億美元，歷史上首首度超過了DRAM銷售額，DRAM2012年銷售額是280億美元。IC
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三星DRAM總銷量增長28.6% 占有率超57%
市場調(diào)研機構(gòu)iSuppli的統(tǒng)計數(shù)據(jù)， 三星電子今年1-3季度銷售的流動動態(tài)隨機存儲器(DRAM)以1Gb為基準計算達21.025億個，在全球DRAM市場中的份額達57.05%。三星電子今年前三季度的銷量和去年全年總銷量相比增長了28.6%，
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第三季度移動DRAM爆發(fā) 出貨量大增
21ic訊 據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場動態(tài)簡報，第三季度移動DRAM市場爆發(fā)，廠商抓緊為平板電腦和智能手機生產(chǎn)內(nèi)存芯片，迎接圣誕銷售旺季。但不是所有供應(yīng)商都表現(xiàn)同樣良好。第三季度移動DRAM的全球出貨量環(huán)比大增3
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12月上旬主流NAND Flash合約價小跌1-2%
市調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，雖然系統(tǒng)產(chǎn)品年底銷售旺季備貨高峰期已過，然在NAND Flash原廠持續(xù)對于零售市場減量供貨的情況下，12月上旬NAND Flash合約價較11月下旬僅小跌1-2%，預(yù)估緩跌走勢將
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12月上旬DRAM模塊價止跌反彈
市調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下DRAMeXchange調(diào)查顯示，繼11月下旬DRAM合約價格小跌3.17%，受到現(xiàn)貨價格的激勵，12月上旬的模塊價格亦同步呈現(xiàn)上揚走勢。目前4GB均價回到15.5美元水位，小漲1.64%；2GB模塊均價同樣受惠，回到美
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明年DRAM資本支出減21%
研調(diào)機構(gòu)集邦科技表示，縮減明年投資金額已成DRAM業(yè)界共識，預(yù)期2013年整體DRAM產(chǎn)業(yè)資本支出將較今年減少21%。集邦科技指出，受個人電腦市場需求持續(xù)萎縮影響，動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)廠多面臨虧損窘境，除營運轉(zhuǎn)型
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NAND閃存市場市況平穩(wěn) 合約價有望觸底
NAND閃存（Flash）合約價12月上旬緩慢下跌，內(nèi)存模塊廠認為，短期將出現(xiàn)回調(diào)，12月底將可望觸底，明年元月間隨著中國農(nóng)歷年前的備貨需求來到，有機會出現(xiàn)價格止跌反彈。市場研究機構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查顯示，12月上旬N
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PC市場疲軟 供應(yīng)商第三季度DRAM虧損擴大
據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場動態(tài)簡報，第三季度DRAM市場再度受挫，PC市場疲軟帶來的價格下行壓力，拖累所有DRAM廠商的獲利能力。不包括三星在內(nèi)，第三季度DRAM產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)金余額降至45億美元，比第二季度時的52億美元減
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DRAM止跌回穩(wěn) 明年內(nèi)存要大漲
受到DRAM現(xiàn)貨價格上漲的激勵，12月上旬DRAM合約價也跟著上揚，DRAM止跌回穩(wěn)態(tài)勢可望確立，業(yè)界認為，受到供應(yīng)廠商紛減產(chǎn)影響，估明年DRAM位成長僅達 20%，需求則約達30%，明年DRAM恐會出現(xiàn)短缺問題，有助帶動價格回升
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12月上旬主流NAND Flash合約價小跌1-2%
市調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，雖然系統(tǒng)產(chǎn)品年底銷售旺季備貨高峰期已過，然在NANDFlash原廠持續(xù)對于零售市場減量供貨的情況下，12月上旬NANDFlash合約價較11月下旬僅小跌1-2%，預(yù)估緩跌走勢將持續(xù)
