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IDF：英特爾預計將于2013年年底之前進入14nm時代
英特爾公司在最近召開的英特爾信息技術峰會(IDF)上表示，他們將在2013年年底之前進入14nm時代。目前，英特爾的22nm工藝技術已經相當成熟，它大量用于Haswell處理器的生產線上。據(jù)悉，在公司內部代號分別為P1272以及P
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IDF：英特爾預計將于2013年年底之前進入14nm時代
英特爾公司在最近召開的英特爾信息技術峰會(IDF)上表示，他們將在2013年年底之前進入14nm時代。目前，英特爾的22nm工藝技術已經相當成熟，它大量用于Haswell處理器的生產線上。據(jù)悉，在公司內部代號分別為P1272以及P
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太陽能發(fā)電將不再依賴補貼
2012年9月10日高科技產業(yè)整合解決方案供應商Manz宣布其在CIGS薄膜太陽能領域取得巨大的技術進展。通過整合CIGS薄膜太陽能模塊生產線，Manz CIGSfab創(chuàng)造了薄膜技術的新世界紀錄：大規(guī)模生產的太陽能電池板其實際量
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太陽能發(fā)電將不再依賴補貼
2012年9月10日高科技產業(yè)整合解決方案供應商Manz宣布其在CIGS薄膜太陽能領域取得巨大的技術進展。通過整合CIGS薄膜太陽能模塊生產線，Manz CIGSfab創(chuàng)造了薄膜技術的新世界紀錄：大規(guī)模生產的太陽能電池板其實際量
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《SEMICON》全球首座18吋Fab 今年12月就緒
SEMICON 2012今(7日)舉辦450mm(18吋) 晶圓供應鏈論壇，由臺積電 (2330)處長林進祥說明目前全球450mm(18吋晶圓)聯(lián)盟針對18吋晶圓的推展狀況。他指出，全球450mm聯(lián)盟希望在2015-2016年間建立18吋晶圓的IC試產線。而若依
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加快Fab-lite腳步富士通半導體出脫封測廠
日本半導體整合元件制造商(IDM)正積極轉型。繼瑞薩電子(Renesas Electronics)大舉調整制造策略后，富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)也宣布，將其全資子公司FIM(Fujitsu Integrated Microtechnology)旗下的宮城廠
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產能不足的情況。當年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉。在進入28nm時代之后，其產能不足更是飽受詬病。臺
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產能不足的情況。當年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉。在進入28nm時代之后，其產能不足更是飽受詬病。臺
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產能不足的情況。當年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉。在進入28nm時代之后，其產能不足更是飽受詬病。臺
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產能不足的情況。當年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉。在進入28nm時代之后，其產能不足更是飽受詬病。臺
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臺積電稱28nm芯片良品率超80% 產能可滿足需求
臺積電可謂是全球芯片代工行業(yè)的老大級人物，不過每次制造工藝的提升都會帶來一次良品率不足或是產能不足的情況。當年堪稱大雷45nm制造工藝將AMD/NVIDIA急的團團轉。在進入28nm時代之后，其產能不足更是飽受詬病。
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聯(lián)電解散UMC Japan，Q3/Q4將認列業(yè)外虧損
聯(lián)電 (2303)今(21日)董事會通過，為整合制造資源并降低營運成本，決議結束日本晶圓制造業(yè)務，解散并清算直接持有100%股份之子公司UMC Japan。聯(lián)電表示，因解散清算所認列資產減損的業(yè)外損失，多會于今年第3、第4季認
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臺積28納米產能 季增3倍
晶圓代工龍頭臺積電力拚28納米擴產，隨著良率拉升到8成以上，及中科12寸廠Fab15新產能大量開出，本季已安裝產能（installedcapacity）較上季大增3倍，為第4季營運淡季不淡埋下伏筆。臺積電上半年投入超過36億美元資本
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臺積28納米產能 季增3倍
晶圓代工龍頭臺積電力拚28納米擴產，隨著良率拉升到8成以上，及中科12寸廠Fab15新產能大量開出，本季已安裝產能（installed capacity）較上季大增3倍，為第4季營運淡季不淡埋下伏筆。 臺積電上半年投入超過36億美
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臺積砸830億 強攻20納米
晶圓代工龍頭臺積電昨（14）日董事會核準約830億元資本預算用以建置、擴充先進制程廠房。除了28納米產能持續(xù)擴充，這次的投資預算更是因應20納米提早量產而卡位，顯示大廠先進制程投資未受景氣回檔而停歇。 臺積電的
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臺積砸830億 強攻20納米
晶圓代工龍頭臺積電昨（14）日董事會核準約830億元資本預算用以建置、擴充先進制程廠房。除了28納米產能持續(xù)擴充，這次的投資預算更是因應20納米提早量產而卡位，顯示大廠先進制程投資未受景氣回檔而停歇。 臺積電
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臺積砸830億 強攻20納米
臺積砸830億 強攻20納米
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聯(lián)電FAB 12A第3、4期廠房獲美LEED綠建筑認證
聯(lián)電于30日宣布，其位于臺南科學園區(qū)Fab12A廠第3、4期新建廠房已通過美國綠建筑協(xié)會(USGreenBuildingCouncil,USGBC)綠建筑評估系統(tǒng)審查，獲得「前瞻能源與環(huán)境設計–新建工程類」(LeadershipinEnergyandEnvironmenta
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聯(lián)華南科三、四期廠房獲美國LEED綠色建筑黃金級認證
聯(lián)華電子日前宣布，其位于臺南科學園區(qū)Fab 12A廠第三、四期新建廠房已通過美國綠色建筑協(xié)會(U.S. Green Building Council, USGBC)綠色建筑評估系統(tǒng)審查，獲得“前瞻能源與環(huán)境設計 – 新建工程類” (Leadership in E
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聯(lián)華南科三、四期廠房獲美國LEED綠色建筑黃金級認證
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