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日本擴大半導體技術出口管制，商務部回應！
業(yè)內消息，近日日本官方表示計劃擴大對與半導體或量子計算相關的四項技術的出口限制，這是全球管制戰(zhàn)略技術出口的最新舉措。該限制措施向所有國家/地區(qū)（包括最受惠的貿易伙伴韓國、新加坡和中國臺灣）的此類貨物將需要出口管制官員的批準。
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三星3nm GAA制程良率堪憂，這怎么對標臺積電？
11月22日消息，據外媒報導，韓國三星雖然搶先臺積電量產了3nm GAA(Gate-all-around，環(huán)繞柵極)芯片，但不代表進展順利。最新的爆料稱，三星3nm GAA制程的良率非常糟，僅為20%，為了解決這困境，三星計劃通過與美國公司合作提高良率。
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基于GAA架構趁熱打鐵，三星將速推4nm芯片競爭臺積電！
據悉，從兩個月前宣布在華城工廠已經大規(guī)模開始量產使用GAA(Gate-All-AroundT)全環(huán)繞柵極制程工藝的3nm芯片，到目前這批GAA架構的3nm代工產品已經發(fā)貨，對過去長達幾年的在和臺積電競爭過程中陷入困局的三星來說，這次提前發(fā)布3nm芯片并出貨一定程度上給予客戶和自己一些信心，同時，據悉三星會基于GAA架構趁熱打鐵，快速推出4nm芯片競爭臺積電，將此次速度優(yōu)勢發(fā)揮到最大。
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三星電子首次實現 GAA" 多橋，打破 FinFET 技術的性能限制
6月20日消息，據BusinessKorea報道，三星電子正計劃通過在未來三年內打造3納米GAA(Gate-all-around)工藝來追趕世界第一大代工公司——臺積電。
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三星率先完成3nm GAA工藝量產 ,且成功流片，離量產又近了一步？
其中臺積電表示，他們將會在2022年量產3nm工藝，不過，他們仍會選擇FinFET晶體管技術，而三星則已經選擇GAA技術，并且還成功流片，這也意味著他們離量產又近了一步。
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摩爾定律是否到頂？進一步了解GAA芯片技術
蘋果9月推出 A14 仿生芯片，接著華為麒麟 9000 系列芯片也將隨Mate40 系列手機一起推出，而高通新一代驍龍 875也將在12月初發(fā)布，相同的是芯片都將是采用5nm 工藝，同時也意味著半導體工藝 5nm 的時代正在全面到來。
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2nm研發(fā)取得重大突破！臺積電邁向GAA為什么比三星晚？
根據臺灣經濟日報報道，近日臺積電在2nm研發(fā)上取得重大突破，目前已找到路徑，將切入全環(huán)柵場效應晶體管GAA，這是臺積電繼從鰭式場效應晶體管FinFET技術取得全球領先地位之后，向另一全新的技術節(jié)點邁進
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臺媒：臺積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術
7月13日消息，據臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)技術。 臺積電 臺媒稱，三星已決定在3n
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臺積電邁向GAA，2nm芯片取得重大突破
據報道，臺積電在 2nm 研發(fā)有重大突破，并且已成功找到路徑，臺積電2nm預計將在2023至2024推出，該技術為切入環(huán)繞式柵極技術 (gate-all-around，簡稱 GAA技術)。盡管5nm剛實現量產不久，臺積電和三星就開始瞄準更先進的制程。
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美國封殺GAA半導體技術出口 中國突破3nm工藝要靠自己了
由于眾所周知的原因，美國正在收緊高科技的出口，日前美國政府制定了一份新的高科技出口禁令，包括量子計算機、3D打印及GAA晶體管技術等在內，這其中GAA晶體管技術是半導體行業(yè)的新一代技術關鍵。 大家都知
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三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%
盡管日本嚴格管制半導體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議，公布了旗下新一代工藝的進展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。 三星在10n
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無懼日本制裁 三星將如期展示3nm GAA工藝最新進展
本月4日起，日本宣布管制對韓國出口光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫這三種重要原材料，此舉使得韓國面板、半導體兩大支柱行業(yè)面臨危機，三星等公司更是急于獲得穩(wěn)定的原料來源，否則旗下的存儲芯片、面板生產都會停產
