11月22日消息，據(jù)外媒報導(dǎo)，韓國三星雖然搶先臺積電量產(chǎn)了3nm GAA(Gate-all-around，環(huán)繞柵極)芯片，但不代表進(jìn)展順利。最新的爆料稱，三星3nm GAA制程的良率非常糟，僅為20%，為了解決這困境，三星計劃通過與美國公司合作提高良率。

到目前為止，三星雖號稱通過整合合作伙伴技術(shù)取得積極成果，但實際還需觀察幾個月。如果三星3nm GAA 制程低良率問題無法解決，客戶可能將不愿再下訂單，進(jìn)而轉(zhuǎn)向等待臺積電的3nm工藝。

事實上，目前已經(jīng)宣布量產(chǎn)3nm GAA 技術(shù)制程的三星，除了僅供應(yīng)某家加密貨幣廠商之外，至今尚未拿下智能手機(jī)芯片廠商的訂單。不過，消息指出，目前三星已經(jīng)通過高通的樣品認(rèn)證，有機(jī)會在未來進(jìn)行供貨。因此，如果三星能夠解決良率不佳的問題，則高通將可以享受到3nm GAA 技術(shù)制程帶來的性能提高23%，能耗最多降低45% 的好處。

報導(dǎo)最后強(qiáng)調(diào)，三星的第二代3nm制程將預(yù)計在2024 年量產(chǎn)，號稱比第一代3nm制程有更多的進(jìn)步，這也代表三星進(jìn)一步希望從臺積電手上搶下更多市占率的企圖。

對于此前路透社報道稱，臺積電計劃將其領(lǐng)先的N3(3nm級)制造技術(shù)芯片生產(chǎn)帶到其美國亞利桑那州晶圓廠的傳聞，張忠謀首次給出了肯定的答復(fù)。

張忠謀稱，臺積電目前在美國亞利桑納州建的是5nm晶圓廠，為美國目前最先進(jìn)的制程，但臺積電在中國臺灣的最先進(jìn)制程是3nm，代表臺積電在美國投資的5nm只是“N-1”?，F(xiàn)在有一個計劃，但是還沒有完全敲定，應(yīng)該說是差不多敲定，那就是在美國亞利桑那州，“3nm是phase 2(第二階段)，5nm是phase 1(第一階段)。”

不過張忠謀并未透露美國3nm晶圓廠建廠計劃的投資規(guī)模，以及會在何時啟動。目前臺積電亞利桑那州的5nm晶圓廠產(chǎn)能規(guī)劃是2萬片/月，有傳聞稱，計劃中的3nm晶圓廠產(chǎn)能也將是2萬片/月。

黃崇仁指出，中國臺灣擁有這些條件促成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢，包括臺灣的工程師素質(zhì)高、產(chǎn)業(yè)國際化、成本相對低廉、政府支持建廠等條件支撐，若沒有這些條件，“不是搬到美國，優(yōu)勢就可以存在”。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士@手機(jī)晶片達(dá)人 爆料稱，臺積電除了在建的亞利桑那州的2萬片5nm晶圓產(chǎn)能，還將在美國東岸的弗吉尼亞州建一座新的3nm制程晶圓廠，產(chǎn)能也將為2萬片，目前正開始安排人力規(guī)劃，預(yù)計投資規(guī)模也將達(dá)到120億美元。這也將是臺積電在美國的第三座晶圓廠。除了在建的亞利桑那州晶圓廠之外，臺積電在美國華盛頓州的Camas還有一座晶圓十一廠，不過這里僅生產(chǎn)8英寸晶圓，主要面向28nm以上成熟制程。

如果臺積電繼續(xù)在美國進(jìn)行具有N3功能的晶圓廠計劃，該設(shè)施可能會在2024年底上線，或者更有可能在2025年初上線。該代工廠計劃在2025年下半年開始生產(chǎn)N2(2nm級)工藝技術(shù)。

因此，雖然亞利桑那州的工廠可能會獲得N3，但臺積電在臺灣地區(qū)的晶圓廠仍將更加先進(jìn)。但臺積電在臺灣地區(qū)和美國之間的能力差距可能會在未來幾年縮小。

針對以上美國媒體報道，臺積電昨日晚間回應(yīng)指出，就目前為止，臺積電公司尚未確定亞利桑那州晶圓廠二期的規(guī)劃。有鑒于客戶對臺積公司先進(jìn)制程的強(qiáng)勁需求，我們將就營運(yùn)效率和成本經(jīng)濟(jì)因素來評估未來計劃。

臺積電此前曾在法說會上提到，3nm將在今年第四季度量產(chǎn)，預(yù)期在高性能運(yùn)算與智能手機(jī)應(yīng)用驅(qū)動下，2023年平穩(wěn)量產(chǎn)，但臺積電并未披露3nm月產(chǎn)能細(xì)節(jié)。

業(yè)界認(rèn)為，臺積電今年資本支出下修10%，業(yè)界傳出先進(jìn)制程協(xié)力廠遭砍單40%至50%，應(yīng)屬少數(shù)個案，主要落在再生晶圓、關(guān)鍵耗材、設(shè)備等領(lǐng)域。