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借助高能效GaN轉(zhuǎn)換器，提高充電器和適配器設計的功率密度
如今，充電器和適配器應用最常用的功率轉(zhuǎn)換器拓撲是準諧振(QR)反激式拓撲，因為它結(jié)構(gòu)簡單、控制簡便、物料(BOM)成本較低，并可通過波谷切換工作實現(xiàn)高能效。然而，與工作頻率密切相關(guān)的開關(guān)損耗和變壓器漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率，從而限制了功率密度。
如今，充電器和適配器應用最常用的功率轉(zhuǎn)換器拓撲是準諧振(QR)反激式拓撲，因為它結(jié)構(gòu)簡單、控制簡便、物料(BOM)成本較低，并可通過波谷切換工作實現(xiàn)高能效。然而，與工作頻率密切相關(guān)的開關(guān)損耗和變壓器漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率，從而限制了功率密度。
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