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將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低
近年來(lái)，人們使用的電器產(chǎn)品數(shù)量不斷增多，致使每個(gè)家庭內(nèi)的總能耗穩(wěn)步上升，不僅大多數(shù)西方國(guó)家是這樣，新興國(guó)家亦是如此。與這些能耗相關(guān)的成本也已經(jīng)增加，因?yàn)槿剂腺Y源
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透過(guò)IGBT熱計(jì)算來(lái)優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
多數(shù)半導(dǎo)體組件結(jié)溫的計(jì)算過(guò)程很多人都知道。通常情況下，外殼或接腳溫度已知。量測(cè)裸片的功率耗散，并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示)，以計(jì)算外殼至結(jié)點(diǎn)的溫
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智能IGBT門驅(qū)動(dòng)耦合器接口ACPL-339J
簡(jiǎn)介ACPL-339J是一種先進(jìn)的智能IGBT門驅(qū)動(dòng)耦合器接口，支持1.0A雙輸出，易于使用。ACPL-339J 經(jīng)獨(dú)特設(shè)計(jì)支持具有靈活電流額定值的MOSFET的電流緩沖器，使得系統(tǒng)設(shè)計(jì)師能夠更加輕松地通過(guò)互換MOSFET緩沖器和功率IGB
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Vishay的新款NTC熱敏電阻管芯為用戶提供與IGBT相同的安裝方式
高穩(wěn)定性器件采用金、銀金屬層，支持導(dǎo)線鍵合、焊接和納米銀膏燒結(jié)21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布兩個(gè)新的無(wú)引線NTC熱敏電阻裸片---NTCC300E
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英飛凌推出新型低飽和壓降VCE(sat) IGBT
英飛凌科技股份公司近日推出新型低飽和壓降VCE(sat) IGBT。此類IGBT 專門針對(duì) 50Hz 至20kHz 的低開(kāi)關(guān)頻率范圍進(jìn)行了優(yōu)化。這個(gè)范圍的開(kāi)關(guān)頻率常見(jiàn)于不間斷電源 (UPS) 以及
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Vishay 推出采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技術(shù)的新Trench IGBT平臺(tái)
600V和650V IGBT具有低 VCE(ON) 、快速和軟開(kāi)關(guān)特性，可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS、太陽(yáng)能電池和焊接逆變器21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用Punch
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意法半導(dǎo)體(ST)推出全新M系列IGBT 有效提升太陽(yáng)能及工業(yè)電源的能效和可靠性
21ic電源網(wǎng)訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)推出全新M系列1200V IGBT，以先進(jìn)的溝柵式場(chǎng)截止技術(shù) (trench-gate field-stop) 為特色，有效提升太陽(yáng)能逆變器 (sol
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IR為混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)車推出堅(jiān)固耐用的600V 車用IGBT產(chǎn)品
21ic電源網(wǎng)訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日發(fā)布600V車用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0，針對(duì)混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)車中的小型輔助電機(jī)驅(qū)
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充放電型IGBT關(guān)斷緩沖吸收電路
為了使IGBT關(guān)斷時(shí)的過(guò)電壓能得能更有效的抑制并減小IGBT的關(guān)斷損耗，通常都需給IGBT主電路設(shè)置關(guān)斷緩沖吸收電路。
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英飛凌推出額定電流高達(dá) 120A 的新型 TO-247PLUS 封裝
21ic電源網(wǎng)訊 英飛凌科技股份有限公司針對(duì)大功率應(yīng)用擴(kuò)大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達(dá) 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)
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首批國(guó)產(chǎn)8英寸IGBT芯片宣布調(diào)試達(dá)標(biāo)
日前，中國(guó)南車株洲所發(fā)布聲明稱，裝有中國(guó)首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運(yùn)行一萬(wàn)公里，各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先的水準(zhǔn)。這意味著，由中國(guó)南車株洲所下屬公司南車時(shí)代電
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IR 推出1200V Gen8 IGBT系列 提升工業(yè)應(yīng)用的基準(zhǔn)效率和耐用性
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平臺(tái)適用于符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝，并
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Littelfuse推出額定值高達(dá)1700V和450A的模塊 擴(kuò)充其IGBT產(chǎn)品
標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案可滿足嚴(yán)苛要求Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛
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4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用
制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應(yīng)用開(kāi)發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對(duì)其性能進(jìn)行了優(yōu)化 。這種芯片組的特點(diǎn)是導(dǎo)通電壓損耗非常低、具備大電流高電壓快速開(kāi)通行為和高魯棒性的短路行為。在
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21ic新聞大爆炸：西班牙智能電表驚現(xiàn)漏洞
1、西班牙智能電表驚現(xiàn)漏洞 可導(dǎo)致大面積停電近來(lái)，研究人員發(fā)現(xiàn)西班牙所使用的智能電表中存在安全漏洞，此次西班牙電表中發(fā)現(xiàn)的安全漏洞可能允許黑客進(jìn)行計(jì)費(fèi)欺詐甚至關(guān)閉整個(gè)電路系統(tǒng)，造成大面積停電事件發(fā)生。原
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IR推出650V器件以擴(kuò)充超高速溝道IGBT系列
適合工業(yè)用電機(jī)、焊接、太陽(yáng)能、感應(yīng)加熱和不間斷電源應(yīng)用21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴(kuò)充絕緣柵
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國(guó)家智能電網(wǎng)項(xiàng)目首次采用國(guó)產(chǎn)高壓大功率IGBT芯片
集成電路(俗稱“芯片”)的研發(fā)應(yīng)用，我國(guó)與發(fā)達(dá)國(guó)家存在較大差距。在電力領(lǐng)域，進(jìn)口芯片一直處于壟斷強(qiáng)勢(shì)地位，長(zhǎng)期以來(lái)，我國(guó)輸變電設(shè)備與配用電設(shè)備中的核心芯片進(jìn)口產(chǎn)品分別占到95%和80%，芯片已經(jīng)成為
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MOSFET選擇策略詳解
在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結(jié)型晶體管(BJT)是僅有的功率開(kāi)關(guān)。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制
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日益壯大的ROHM最新功率元器件產(chǎn)品陣容
前言全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來(lái)在消費(fèi)電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，正在積極推進(jìn)面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充。在支撐“節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能”技術(shù)的半導(dǎo)體
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IR第八代IGBT技術(shù)平臺(tái)和IR3847 SupIRBuck榮獲 “2014中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)”
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布旗下第八代 (Gen8) 1200V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)和IR3847 SupIRBuck大電流集成式穩(wěn)壓器榮膺業(yè)界聞名的&
