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概述新一代場截止陽極短路IGBT
隨著功率電子和半導體技術(shù)的快速進步，各類電力電子應(yīng)用都開始要求用專門、專業(yè)的半導體開關(guān)器件，以實現(xiàn)成本和性能的共贏。與傳統(tǒng)的非穿通(NPT) IGBT相比，場截止(FS)
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大功率IGBT高頻逆變電焊機電路圖
大功率IGBT高頻逆變電焊機電路如下圖所示：
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IGBT 應(yīng)用常見問題及解決方法
80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了GTR和MOSFET的優(yōu)點，控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提
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IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導通損耗和開關(guān)
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基于IGBT熱計算的最大化電源設(shè)計效用解決方案
計算大多數(shù)半導體器件結(jié)溫的過程廣為人知。通常情況下，外殼或引腳溫度已知。測量裸片的功率耗散，并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示)，以計算外殼至結(jié)點的溫升
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如何判斷過流保護，還是短路保護？
通常，在電機驅(qū)動應(yīng)用中需要很多不同類型的保護，包括保護功率晶體管、電機或系統(tǒng)的任何部件。變頻器的電流保護是其中至關(guān)重要的一項。它不僅能預(yù)防對功率晶體管的任何
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意法半導體推出1200V IGBT 使用壽命更長、更節(jié)能
意法半導體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術(shù)提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數(shù)校正
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IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
【導讀】新型電力半導體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。 新型電力半導體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國
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汽車點火系統(tǒng)中對智能IGBT技術(shù)的需求探討
若從安裝在汽車分電器中的機械觸點技術(shù)算起，點火系統(tǒng)經(jīng)已走過一段很長的發(fā)展歷程。最新的點火IGBT、混合信號IC及封裝技術(shù)，使“線圈上開關(guān)”技術(shù)所允許的種種系統(tǒng)優(yōu)勢得以實現(xiàn)。因此，本文分析了汽車點火
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我國首批最先進IGBT產(chǎn)品在中國北車(601299)下線
【導讀】12月14日，具有世界最先進水平的首批最大功率IGBT產(chǎn)品在中國北車永濟電機公司成功下線，使企業(yè)成為世界第四個、國內(nèi)第一個能夠封裝6500V以上電壓等級IGBT的廠家。這標志著我國與世界發(fā)達國家站在同一技術(shù)平臺
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英飛凌中國全新子公司開業(yè)，滿足本地對創(chuàng)新型高能效解決方案持續(xù)增長的需求
【導讀】英飛凌科技股份有限公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）今日宣布其位于中國北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)的全新子公司——英飛凌集成電路（北京）有限公司正式開業(yè)。新公司注冊資本1，500萬美元，將進一步加強公司對高能效
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英飛凌中國子公司滿足能源持續(xù)增長的需求
【導讀】據(jù)了解，英飛凌科技股份有限公司日前宣布其位于中國北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)的全新子公司——英飛凌集成電路（北京）有限公司正式開業(yè)。新公司注冊資本1，500萬美元，將進一步加強公司對高能效、移動性和安全性的
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PCIM展會研討會闡述IGBT在新能源汽車中的核心應(yīng)用
【導讀】87/8287 據(jù)悉，我國已成為全球最大的大功率半導體器件消費市場，IGBT作為核心器件在新能源交通中得到了極為廣泛的應(yīng)用。英飛凌全新子公司北京集成電路公司已落戶北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，將為中國電動汽車、高鐵
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我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項目正式啟動
【導讀】目前國內(nèi)IGBT的主要供應(yīng)商為外國廠商，為支持我國企業(yè)技術(shù)突圍，IGBT成為國家產(chǎn)業(yè)政策重點支持和扶植的重大科技項目。中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目，總投資14億元，預(yù)計2013年正式投產(chǎn)。建成后，該
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高鐵、太陽能、家電搶貨 IGBT供貨緊張延至年底
【導讀】經(jīng)濟復蘇帶動工業(yè)與消費電子的需求增長，以及中國政府推出的經(jīng)濟刺激政策，不斷推動IGBT銷售額成倍增長。在消費方面，IGBT用于家用電器、相機和手電。IHS公司預(yù)測，未來四年消費應(yīng)用領(lǐng)域的IGBT的復合年度增長
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家電下鄉(xiāng)政策將淡出 創(chuàng)新IGBT技術(shù)助力家電產(chǎn)品升級
【導讀】7月22日，國際知名功率器件廠商英飛凌半導體公司將參加“第三屆家電IC創(chuàng)新技術(shù)與節(jié)能管理研討會”，該公司高級工程師周偉將發(fā)表《用于電機驅(qū)動的創(chuàng)新IGBT: RC Drives IGBT》演講，重點介紹英飛凌全新的RC-Dr
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三菱電機銳意成為功率半導體市場的全球霸主
【導讀】三菱電機的功率半導體產(chǎn)品，早已穩(wěn)站全世界第一，因此，下一個目標是成為絕對第一，亦即要拉開與第二位的距離。具體來說，就是到2015年時，全球銷售收入達到1，900億日元的目標。從2010年到2011年間，公司在
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中國南車首家海外功率半導體研發(fā)中心落成字號
【導讀】7月25日，中國南車(601766，股吧)株洲所首家海外功率半導體研發(fā)中心在英國順利落成，這也是我國軌道交通裝備制造企業(yè)首個海外高端器件研發(fā)中心。 摘要： 7月25日，中國南車(601766，股吧)株洲所首家海外
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IGBT是目前發(fā)展最為迅速的新一代功率器件
【導讀】“十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細化用電轉(zhuǎn)型。 摘要： “十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新
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IR善用功率器件，為節(jié)能設(shè)計保駕護航
【導讀】在可以預(yù)見的未來，電能將會成為我們主要的消耗能源。大至高速列車，小至手機，都不能脫離電能而存在。無論什么類型的電能，大部分都難以直接使用，必須借助功率半導體進行功率變換以驅(qū)動設(shè)備。近年來，全社
