【導(dǎo)讀】12月14日，具有世界最先進(jìn)水平的首批最大功率IGBT產(chǎn)品在中國(guó)北車永濟(jì)電機(jī)公司成功下線，使企業(yè)成為世界第四個(gè)、國(guó)內(nèi)第一個(gè)能夠封裝6500V以上電壓等級(jí)IGBT的廠家。這標(biāo)志著我國(guó)與世界發(fā)達(dá)國(guó)家站在同一技術(shù)平臺(tái)，自主研發(fā)IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化步伐進(jìn)一步加快。

 12月14日，具有世界最先進(jìn)水平的首批最大功率IGBT產(chǎn)品在中國(guó)北車永濟(jì)電機(jī)公司成功下線，使企業(yè)成為世界第四個(gè)、國(guó)內(nèi)第一個(gè)能夠封裝6500V以上電壓等級(jí)IGBT的廠家。這標(biāo)志著我國(guó)與世界發(fā)達(dá)國(guó)家站在同一技術(shù)平臺(tái)，自主研發(fā)IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化步伐進(jìn)一步加快。

 據(jù)了解，首批投入封裝生產(chǎn)線并成功封裝，順利通過動(dòng)靜態(tài)試驗(yàn)的6500V/600A IGBT產(chǎn)品，是目前世界上電壓等級(jí)最高的產(chǎn)品，各項(xiàng)技術(shù)參數(shù)與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)相同。

 IGBT是指絕緣柵雙極型晶體管，是繼雙極晶體管（GTR）和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）后的新一代功率半導(dǎo)體分立器件，具有MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又具有GTR的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小等優(yōu)點(diǎn)，是自動(dòng)控制和功率變換的關(guān)鍵核心器件，被廣泛應(yīng)用在以高鐵為代表的軌道交通裝備行業(yè)、電力系統(tǒng)、工業(yè)變頻、風(fēng)電、太陽能、電動(dòng)汽車、家電等產(chǎn)業(yè)中。

 目前，我國(guó)已成為全球最大的功率半導(dǎo)體器件消費(fèi)市場(chǎng)。僅2009年功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1215.3億元。但整個(gè)IGBT市場(chǎng)大部由國(guó)外廠商占據(jù)。其中IGBT芯片完全依賴進(jìn)口，關(guān)鍵技術(shù)被國(guó)外大公司壟斷，國(guó)內(nèi)難以實(shí)現(xiàn)突破，成本難以降低。

 永濟(jì)電機(jī)公司作為一家致力于建設(shè)國(guó)內(nèi)第一、國(guó)際一流的電傳動(dòng)系統(tǒng)國(guó)際化企業(yè)，面對(duì)我國(guó)軌道裝備行業(yè)處于快速發(fā)展的重要戰(zhàn)略機(jī)遇期，大功率IGBT器件作為機(jī)車、動(dòng)車交流傳動(dòng)的核心部件得到大量應(yīng)用，市場(chǎng)總量潛力巨大。公司在核心器件方面，不僅引進(jìn)了國(guó)際水平的變流技術(shù)，而且形成了強(qiáng)大的制造能力，建成投用了世界一流水平的IGBT封裝線。

 今年11月26日，永濟(jì)電機(jī)公司以核心技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化相結(jié)合模式組建了上海北車永電電子科技有限公司。將致力于為IGBT器件提供具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵部件，為我國(guó)機(jī)車、動(dòng)車組為代表的軌道交通裝備及其它相關(guān)產(chǎn)業(yè)提供強(qiáng)勁的“中國(guó)芯”。這對(duì)于打破國(guó)外在IGBT市場(chǎng)的壟斷、促進(jìn)我國(guó)電子電氣技術(shù)邁上新臺(tái)階具有重要意義。