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MOSFET和JFET在性能特點上有什么區(qū)別？MOSFET和晶體管有什么區(qū)別
以下內容中，小編將對MOSFET的相關內容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對MOSFET的了解，和小編一起來看看吧。
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用離散的JFET在低噪聲電路中放大小信號
在低噪聲電路中放大傳感器產生的小信號是一個非常普遍但困難的問題。設計者通常會使用帶有雙極輸入的運算放大器來實現(xiàn)這種放大,因為他們固有的低閃爍(1/F)和寬帶噪聲。雙極OP安培提出了另一個挑戰(zhàn),當小信號感興趣是產生的傳感器的高源阻抗,不能提供足夠的電流到放大器的輸入。雙極OPS電流在納米安培范圍或更大范圍內具有較高的輸入偏置電流,相對于它們的離子和結場效應晶體管(JFET)的輸入阻抗較低。
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場效應管工作原理詳解
場效應管(Field-Effect Transistor，簡稱FET)是一種重要的半導體器件，屬于電壓控制型的電子元件。它的工作原理基于電場對導電溝道中載流子(電子或空穴)的控制，以此來改變通道中的電流大小。根據導電溝道類型和工作機理的不同，場效應管主要分為結型場效應管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)和金屬氧化物半導體場效應管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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正確選擇低噪聲放大器(LNA)
目前，有關低噪聲放大器的討論常常關注于RF/無線應用，但實際應用中，噪聲對于低頻模擬產品(如數(shù)據轉換器緩沖、應變儀信號放大和麥克風前置放大器)也有很大影響，是一項重要
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CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流
CMOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設計附加的電路來對脆弱的柵極進行ESD和EOS保護。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來
