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MOS元件

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東大等驗證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件

東京大學研究生院工學系研究專業(yè)附屬綜合研究機構與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術。如果采用該技術層疊100層16GB的內存芯

模擬
2009-12-27

CMOS 晶圓 MOS元件 MOSFET
東大等驗證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件

東京大學研究生院工學系研究專業(yè)附屬綜合研究機構與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術。如果采用該技術層疊100層16GB的內存芯片

模擬
2009-12-14

CMOS 晶圓 MOS元件 MOSFET