PSRAM在數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用中：取代SRAM或SDRAM的新選擇

隨著科技的不斷進(jìn)步，數(shù)據(jù)存儲技術(shù)也在飛速發(fā)展。在眾多存儲技術(shù)中，PSRAM(Pseudo Static Random Access Memory，偽靜態(tài)隨機存取存儲器)以其獨特的優(yōu)勢，在數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用中逐漸嶄露頭角，成為取代傳統(tǒng)SRAM(Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機存取存儲器)和SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態(tài)隨機存取存儲器)的有力候選者。本文將從PSRAM的技術(shù)特點、性能優(yōu)勢以及實際應(yīng)用等方面，深入探討其在數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用中的潛力和價值。

愛普科技與Mobiveil攜手開發(fā)UHS PSRAM控制器，提供SoC業(yè)者全新解決方案

愛普?UHS PSRAM擁有更強性能、低功耗、少引腳數(shù)特點，瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用場景 新竹2024年6月6日 /美通社/ -- 全球客制化存儲芯片解決方案設(shè)計公司愛普科技與硅知識產(chǎn)權(quán)（SIP）、平臺與IP設(shè)計服務(wù)供貨商Mobiveil今日宣布，已成功開發(fā)出專屬愛普的Ultr...

物聯(lián)網(wǎng)時代SRAM具備怎樣的優(yōu)勢

存儲器粗略的可以分為 存儲器一般分為以下四大類別： 1.非易發(fā)性（揮發(fā)性）存儲器，如NAND FLASH、NOR flash，主要特征是在存儲數(shù)據(jù)在掉電之后不會丟失，這類存儲器的

全新低功耗SRAM產(chǎn)品（瑞薩）

瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布開發(fā)出目前市場上最高容量的64 Mb先進(jìn)低功耗SRAM（先進(jìn)LPSRAM） R1WV6416R系列，以及小尺寸的32 Mb先進(jìn)LPSRAM產(chǎn)品R1LV3216R系列。

Cypress出售PSRAM業(yè)務(wù)給臺灣晶豪科技

Atmel系列堆疊式存儲模塊