瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布開發(fā)出目前市場上最高容量的64 Mb先進(jìn)低功耗SRAM（先進(jìn)LPSRAM） R1WV6416R系列，以及小尺寸的32 Mb先進(jìn)LPSRAM產(chǎn)品R1LV3216R系列。32 Mb產(chǎn)品的樣品將于2008年4月開始在日本交付，64 Mb產(chǎn)品的樣品交付時(shí)間為7月份。

這兩個(gè)新系列將進(jìn)一步擴(kuò)展瑞薩科技采用專有存儲單元技術(shù)實(shí)現(xiàn)更小芯片尺寸和無軟錯(cuò)誤的先進(jìn)LPSRAM產(chǎn)品的陣容。兩個(gè)系列將以不同的封裝和不同的規(guī)格(例如存取時(shí)間)供貨?？偣彩?4 Mb產(chǎn)品和八款32 Mb產(chǎn)品可以滿足包括工業(yè)、辦公設(shè)備、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、汽車系統(tǒng)和通信設(shè)備等領(lǐng)域的各種需求。

R1WV6416R系列和R1LV3216R系列的主要功能概括如下。
（1）行業(yè)最大容量64 Mb的低功耗SRAM
新型64 Mb低功耗SRAM的每款產(chǎn)品都是在一個(gè)封裝中集成了兩個(gè)小型32 Mb先進(jìn)LPSRAM芯片的堆棧，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高的容量。這些器件可以滿足高性能系統(tǒng)的大容量低功耗SRAM需求，同時(shí)滿足以前需要多個(gè)低功耗SRAM器件才能實(shí)現(xiàn)的應(yīng)用對減小空間的要求。

（2）廣泛的封裝陣容可滿足各種需求
為了滿足各種應(yīng)用需求，這兩個(gè)新系列采用了幾種不同的封裝：TSOP I（48引腳）、μTSOP（52引腳），而64 Mb產(chǎn)品還有FBGA（48焊球）封裝。TSOP I和μTSOP封裝與以前的16 Mb產(chǎn)品尺寸相同，而FBGA封裝的焊球布局則為信號引腳兼容。這將有助于客戶在繼續(xù)使用其現(xiàn)有布局設(shè)計(jì)時(shí)增加存儲容量。

3）具備無軟錯(cuò)誤和無鎖定的高可靠性
先進(jìn)LPSRAM采用一種堆疊電容器*2 存儲單元結(jié)構(gòu)，這是DRAM元件中證明成功的一種方法。它實(shí)際上可以消除alpha輻射或高能量中子輻射所引起的軟錯(cuò)誤，這可能是超精細(xì)SRAM存在的一個(gè)問題。此外，這種存儲單元結(jié)構(gòu)還可以避免寄生可控硅（parasitic thyristor）的問題，它可能產(chǎn)生寄生電流流動并導(dǎo)致鎖定。消除軟錯(cuò)誤和鎖定可以實(shí)現(xiàn)卓越的可靠性。

<典型應(yīng)用>
•消費(fèi)類產(chǎn)品：電子詞典，等等
•工業(yè)設(shè)備：自動販賣機(jī)、POS終端、自動檢票門，等等
•辦公設(shè)備：多功能復(fù)印機(jī)等等
•汽車系統(tǒng)：汽車導(dǎo)航系統(tǒng)，等等
•通信系統(tǒng)：電話交換機(jī)、路由器，等等