MCS-51單片數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM的擴(kuò)展應(yīng)用實(shí)例

RAM是用來存放各種數(shù)據(jù)的，MCS-51系列8位單片機(jī)內(nèi)部有128 B RAM存儲(chǔ)器，CPU對內(nèi)部RAM具有豐富的操作指令。但是，當(dāng)單片機(jī)用于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集或處理大批量數(shù)據(jù)時(shí)，僅靠片內(nèi)提供的RAM是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。此時(shí)，我們可以利用單片機(jī)的擴(kuò)展功能，擴(kuò)展外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。

常見存儲(chǔ)器ROM、RAM和FLASH介紹

最近因?yàn)樵谡覍?shí)習(xí)工作,做了一些大公司的硬件筆試題,發(fā)現(xiàn)很多公司都有對存儲(chǔ)器的考察,從來沒有系統(tǒng)的整理過存儲(chǔ)器的種類，是時(shí)候來一波整理了?以下主要講了：RAM、ROM和FLASH三大類。RAM包括：SR

小米Pocophone F1 Lite跑分曝光：驍龍660+4GB RAM

近日GeekBench跑分?jǐn)?shù)據(jù)庫出現(xiàn)了一款名為Pocophone F1 Lite的機(jī)型跑分，從泄露的信息可以發(fā)現(xiàn)該機(jī)使用的是驍龍660處理器，并搭配了4GB RAM。

stm32f4 RAM中運(yùn)行程序 讀保護(hù)設(shè)置

主要是為了在RAM中運(yùn)行程序來解除讀保護(hù)的。沒想到ST-Link Utility 就直接可以。ST-Link Utility:target-->options bytes-->就可以看到讀保護(hù)。解除讀保護(hù)，選擇 Level 0. 其他都不變(WDG_SW,nRST_STDBY,nRST_STOP都

ROM、RAM、Flash的區(qū)別

關(guān)鍵的一些名詞: PROM,EPROM,EEPROM,SPD,SRAM,DRAM,RDRAM,SDRAM,DDRSDRAM,NORFlash,NADNFlash,HDD,SSD,SLC,MLC,TLC

iPad Pro和Apple Pencil 2拆解，驚現(xiàn)6GB RAM

從 X 光成像來看，11 英寸的 iPad Pro 采用了一個(gè)很明顯的對稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，這個(gè)對稱設(shè)計(jì)是如此的美妙和工整，再一次體現(xiàn)出了蘋果高超的設(shè)計(jì)水平。

系統(tǒng)擴(kuò)展—RAM與ROM同時(shí)擴(kuò)展

下面這個(gè)系統(tǒng)中,8051同時(shí)擴(kuò)展片外程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,兩片存儲(chǔ)器的片選信號都接地, 即同時(shí)有效,也就是說,這兩片存儲(chǔ)器無需選擇。51同時(shí)擴(kuò)展RAM和ROM下面來分析這個(gè)問題,該系統(tǒng)中雖然有兩片存儲(chǔ)器,但

Ramtron推出高速和低電壓的F-RAM存儲(chǔ)器

系統(tǒng)擴(kuò)展之單片機(jī)RAM擴(kuò)展

8051單片機(jī)程數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。51數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展A0-A12為地址線，總共13條，則該存儲(chǔ)器的物理存儲(chǔ)空間有2的13次方，即8K。D0-D7為數(shù)據(jù)總線，共8條，即該存儲(chǔ)器的每個(gè)存儲(chǔ)單元有8位數(shù)據(jù)，即通常所說

基于FPGA的雙口RAM與PCI9O52接口設(shè)計(jì)

單片機(jī)中ROM、RAM、Flash的區(qū)別

常規(guī)上ROM是用來存儲(chǔ)固化程序的，RAM是用來存放數(shù)據(jù)的。由于FLASHROM比普通的ROM讀寫速度快，擦寫方便，一般用來存儲(chǔ)用戶程序和需要永久保存的數(shù)據(jù)。譬如說，現(xiàn)在家用的電子式電度表，它的內(nèi)核是一款單片機(jī)，該單片機(jī)

怎樣利用信號平均技術(shù)消除噪聲干擾提升重復(fù)信號采樣的精準(zhǔn)度

許多高速數(shù)據(jù)采集應(yīng)用，如激光雷達(dá)或光纖測試等，都需要從嘈雜的環(huán)境中采集小的重復(fù)信號，因此對于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)來說，最大的挑戰(zhàn)就是如何最大限度地減少噪聲的影響。

RAM、RRAM和DRAM三者有什么區(qū)別？

如何在 51 單片機(jī)系統(tǒng)中使用 8155？

單片機(jī)自身的?RAM?存儲(chǔ)空間和引腳數(shù)目往往有些不足，當(dāng)需要在外部拓展不太多的時(shí)候，8155?芯片就是首選了。一片?8155，可以提供?256?字節(jié)的?RAM，3?個(gè)并行?IO?接口和一個(gè)?14?位的

STM32在Keil MDK5環(huán)境下RAM上代碼調(diào)試

步驟與圖示：1.先給個(gè)CPU的數(shù)據(jù)，需要注意的是三個(gè)紅圈的地方，架構(gòu)，型號，F(xiàn)lash和SRAM大小如圖1(STM32F107VC 256KB FLASH,64KB SRAM)圖12.Target的設(shè)置1）勾上可以用微庫，減小生成代碼的大小2，3）分別定義ROM區(qū)位

基于Camera Link接口的圖像跟蹤系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

目前使用的圖像跟蹤系統(tǒng)前端輸入信號一般都是PAL制式的標(biāo)準(zhǔn)全電視信號，每20 ms一場，每40 ms一幀。模擬信號經(jīng)過視頻解碼器轉(zhuǎn)換成720×576大小的數(shù)字信號后，再對其中

DSP在LED大屏顯示中的應(yīng)用

目前采用的LED大屏幕顯示系統(tǒng)的控制電路，大多由單個(gè)或多個(gè)CPU及復(fù)雜的外圍電路組成，這種電路設(shè)計(jì)，單片機(jī)編程比較復(fù)雜，整個(gè)電路的調(diào)試比較麻煩，可靠性和實(shí)時(shí)性很難得到保證。針對這種情況，提出一種SD卡

基于雙口RAM的PWM整流器的研究

51單片機(jī)棧RAM的關(guān)系

51單片機(jī)RAM分為四個(gè)區(qū)域1.工作寄存器區(qū)(00H~1FH)2.位尋址區(qū)(20H~2FH)3.用戶RAM區(qū)(30H~7FH)4.特殊功能寄存器(80H~FFH)其中1.2.3處于RAM低128單元，4處于高128單元也就是聲明變量時(shí)data與idata位置而棧就是在用戶RAM區(qū)

累加器A與片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM傳送指令（4條）舉例——mcs51單

累加器A與片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM傳送指令（4條）這4條指令的作用是累加器A與片外RAM間的數(shù)據(jù)傳送。使用寄存器尋址方式：MOVX @DPTR,A;（A）→（（DPTR）） 累加器中的內(nèi)容送到數(shù)據(jù)指針指向片外RAM地址中MOVX A, @DPTR;（