Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二極管在提高效率的同時(shí)增強(qiáng)電絕緣性
開(kāi)啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計(jì)之門(mén)|魯歐智造第三屆用戶大會(huì)成功舉辦
奇瑞-羅姆供應(yīng)鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日:攜手譜寫(xiě)汽車電子技術(shù)新篇章
基于SiC的熔絲保護(hù)高壓電氣系統(tǒng)
羅姆的SiC MOSFET應(yīng)用于豐田全新純電車型“bZ5”
IGBT 主導(dǎo)新能源汽車上半場(chǎng),SiC 提速上車劍指新周期
SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)
SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn):共源共柵(cascode)結(jié)構(gòu)詳解
為下一代800V電動(dòng)汽車牽引逆變器平臺(tái)帶來(lái)更長(zhǎng)續(xù)航與長(zhǎng)期的卓越性能
TrendForce集邦咨詢: SiC襯底市場(chǎng)2024年?duì)I收年減9%,但長(zhǎng)期需求樂(lè)觀
溫度儀上位機(jī)項(xiàng)目開(kāi)發(fā)
預(yù)算:¥10000分布式顯示卡(墨水屏電子標(biāo)簽)原型設(shè)計(jì)
預(yù)算:¥20000