近日,受日本材料出口限制的影響,韓國(guó)半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)多少產(chǎn)生了一些波動(dòng),其中,三星電子和SK海力士是遭受日本出口限制最嚴(yán)重的公司。 據(jù)路透社報(bào)道,韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商三星電子和SK海力士股價(jià)周三上漲。分析
SK海力士宣布,已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片,此時(shí)距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過(guò)去了八個(gè)月。SK海力士由此實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的閃存垂直堆疊密度,單顆芯片集成超過(guò)36
近日,SK海力士宣布,已經(jīng)成功研發(fā)并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片,雖然包括SK海力士在內(nèi)多家廠商都研發(fā)出了1Tb QLC閃存,但這是TLC閃存第一次達(dá)到單顆1Tb。距離去年量產(chǎn)96層4
韓國(guó)三星公司日前否認(rèn)了李在镕從日本供應(yīng)商那里獲得了緊急供應(yīng)的半導(dǎo)體材料,這也意味著在突破日本封鎖的問(wèn)題上,三星等韓國(guó)公司又回到了原點(diǎn),迫切需要尋找日本之外的供應(yīng)來(lái)源。此前有分析稱日韓這次圍繞半導(dǎo)體、面
SK海力士日前宣布推出新一代企業(yè)級(jí)SSD硬盤(pán),不過(guò)官方并沒(méi)有公布SSD硬盤(pán)的名稱,只知道是NVMe標(biāo)準(zhǔn)的,基于72層堆棧的3D TLC閃存,M.2版容量最大4TB,U.2容量可達(dá)8TB。性能方面,SK
韓國(guó)媒體報(bào)道,由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格不斷下跌,近期又有華為事件的影響,SK海力士正在計(jì)劃推遲位于中國(guó)無(wú)錫的全球最先進(jìn)內(nèi)存芯片工廠的投產(chǎn)計(jì)劃。中國(guó)市場(chǎng)是SK海力士最大的海外市場(chǎng),去年中國(guó)區(qū)營(yíng)收占了40
SK海力士26日正式宣布,已成功開(kāi)發(fā)并開(kāi)始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個(gè)月前,該公司宣布了96層4D NAND芯片。
4月18日,SK海力士半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司(下簡(jiǎn)稱“SK海力士”)舉行主題為“芯的飛躍、芯的未來(lái)”的竣工儀式,宣布SK海力士二工廠項(xiàng)目竣工。為確保在全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先地位,全球排名第二的DRAM半
去年IEDM(國(guó)際電子器件會(huì)議)期間的一個(gè)周日的夜晚,TechInsights舉辦了一場(chǎng)招待會(huì),Arabinda Das和Jeongdong Choe在會(huì)上做了演講,吸引了一屋子的與會(huì)者。Arabin
據(jù)路透社引述知情人士指出,SK海力士正在考慮收購(gòu)部分邏輯芯片制造商MagnaChip(美格納),用于擴(kuò)大其8英寸晶圓生產(chǎn)線。
日前爆出三星供貨給亞馬遜的服務(wù)器DRAM出現(xiàn)瑕疵,據(jù)韓媒《etnews》報(bào)導(dǎo),亞馬遜為尋找替代產(chǎn)品,開(kāi)始轉(zhuǎn)向SK海力士訂購(gòu)DRAM,外界也開(kāi)始關(guān)注三星DRAM瑕疵事件是否會(huì)為SK海力士帶來(lái)間接利益。
1-2月,無(wú)錫外貿(mào)進(jìn)出口達(dá)970億元,較上年同期增長(zhǎng)5.2%,高于全省增速6.4個(gè)百分點(diǎn),占全省外貿(mào)進(jìn)出口總值的15.1%,總量位居全省第二。
半導(dǎo)體業(yè)界分析,三星電子以技術(shù)領(lǐng)先的策略,阻止了主力商品DRAM市場(chǎng)惡化。隨著全球客戶減少數(shù)據(jù)中心的投資,DRAM價(jià)格暴跌、需求開(kāi)始鈍化,從今年起到2月底為止,DRAM價(jià)格已下跌將近30%。
近日,SK海力士二工廠項(xiàng)目35億美元銀團(tuán)貸款簽約儀式在無(wú)錫舉行,此次貸款的銀團(tuán)由國(guó)開(kāi)行牽頭,農(nóng)行、建行、中行、工行、進(jìn)出口等銀行參與。
SK海力士于3月4日宣布,將于2022年在其位于京畿道利川市和忠清北道清州市的半導(dǎo)體工廠附近建設(shè)自己的發(fā)電設(shè)施“智能能源中心”。明年將破土動(dòng)工,未來(lái)三年投資總額為1.68萬(wàn)億韓元(14.9億美元)。
其中,全年來(lái)看三星電子占市場(chǎng)份額的43.9%,達(dá)到437.47億美元。其次是SK海力士,達(dá)到294.09億美元,占29.5%
據(jù)悉,該項(xiàng)目即將進(jìn)入機(jī)電安裝和潔凈廠房施工階段,預(yù)計(jì)今年年底工藝設(shè)備可搬入。
據(jù)路透社報(bào)道,SK海力士周四表示,計(jì)劃投資120萬(wàn)億韓元(約1066.6億美元)用于在韓國(guó)新的產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)四座半導(dǎo)體工廠。
由于需求疲弱,繼三星、美光和南亞科后,韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士決定將今年資本支出大砍四成。
近日,SK 海力士負(fù)責(zé)人在接受采訪時(shí)表示,準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條,頻率起步5200MHz,另外DDR6內(nèi)存也開(kāi)始策劃了,將在5~6年內(nèi)研發(fā)。