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將功率密度卷出新高度，TI發(fā)布集成驅動GaN LMG21/3100和汽車級隔離DC/DC UCC33420-Q1
功率密度是電源設計的永恒話題，而隨著近年來各類創(chuàng)新應用對于功率等級的提高，要在同樣甚至更小的體積中達成同樣的供電需求，就勢必要把功率密度推向更高的緯度。而追求電源設計功率密度的提升，最根本的是要從器件層面入手。對于電源芯片而言，提升功率密度絕非易事。在提升的同時，就會面對著來自散熱、EMI等因素帶來的反制。功率密度的提升絕非提高電壓電流那么簡單，而是需要來自芯片前道的材料、工藝、電路設計和來自后道封裝的多方面配合。那么如何克服一系列的挑戰(zhàn)，將電源芯片的功率密度卷出新高度？TI于近日發(fā)布的100V GaN驅動芯片LMG21/3100和隔離DC/DC UCC33420-Q1，我們可以從中找到答案。
