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VDMOS器件損傷的DC／DC轉換器輻射預兆單元設計
航天用DC／DC轉換器工作在太空輻射環(huán)境下，輻射損傷是其主要失效機理。DC／DC轉換器的可靠性關系到整個航天器的可靠性，國內外廣泛研究了DC／DC轉換器輻射損傷失效機理、失效模式和抗輻射篩選與加固措施。隨著
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一種減少VDMOS寄生電容的新結構
分析影響VDMOS開關特性的各部分電容結構及參數，為了減少寄生電容，提高開關速度，在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結構。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條，并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū)，改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀，減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬，結果表明：這種新型結構與傳統(tǒng)VDMOS相比，能有效減小器件的寄生電容，減少柵電荷量，提高開關時間，提高器件的動態(tài)性能。
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一種減少VDMOS寄生電容的新結構
分析影響VDMOS開關特性的各部分電容結構及參數，為了減少寄生電容，提高開關速度，在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結構。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條，并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū)，改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀，減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬，結果表明：這種新型結構與傳統(tǒng)VDMOS相比，能有效減小器件的寄生電容，減少柵電荷量，提高開關時間，提高器件的動態(tài)性能。
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DC／DC輻照損傷與VDMOS器件1／f噪聲相關性研究
通過對DC／DC轉換器低頻噪聲測試技術以及在y輻照前后電性能與1/f噪聲特性變化的對比分析，發(fā)現(xiàn)使用低頻噪聲表征DC／DC轉換器的可靠性是對傳統(tǒng)電參數表征方法的一種有效補充。對DC／DC轉換器輻照損傷與其內部VDMOS器件1/f噪聲相關性進行了研究，討論了引起DC／DC轉換器輻照失效的原因。
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DC／DC輻照損傷與VDMOS器件1／f噪聲相關性研究
通過對DC／DC轉換器低頻噪聲測試技術以及在y輻照前后電性能與1/f噪聲特性變化的對比分析，發(fā)現(xiàn)使用低頻噪聲表征DC／DC轉換器的可靠性是對傳統(tǒng)電參數表征方法的一種有效補充。對DC／DC轉換器輻照損傷與其內部VDMOS器件1/f噪聲相關性進行了研究，討論了引起DC／DC轉換器輻照失效的原因。
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性能差異化功率器件制造面臨多重挑戰(zhàn)
不同應用對功率半導體器件提出了新的需求，包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等，這些新的需求又對功率半導體器件的生產工藝提出了種種新的挑戰(zhàn)。 天津中環(huán)半導體股份有限公司技術部部長饒祖剛表示，性能不同
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LVDMOS全橋垂直偏轉輸出電路圖TDA8357J／8359J
TDA8357J／8359J是90o和110o彩色偏轉系統(tǒng)的功率電路，場頻為50～120Hz，可用于4:3和16:9顯像管。電路提供一個DC驅動垂直偏轉輸出電路，工作于高效率G級系統(tǒng)。全橋輸出電路配合單-正電源，采用DC耦合偏轉線圈輸出電路
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LVDMOS全橋垂直偏轉輸出電路圖TDA8358J
TDA8358J是90o和110o彩色偏轉系統(tǒng)的功率電路，可用于4:3和16:9顯像管。電路提供一個DC驅動垂直偏轉輸出電路，東-西輸出級能夠為二極管調節(jié)器吸入電源電流。TDA8358J的引腳排列及功能如圖所示。 內部功能電路與輸
