日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款新型白光、無散射的3mm LED --- VLHW4100,該LED針對高端應(yīng)用進行了優(yōu)化,可滿足應(yīng)用對極高發(fā)光強度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技術(shù),在20mA電流下的發(fā)光強度為
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,在公司網(wǎng)站上發(fā)布了在線流媒體產(chǎn)品演示視頻中心的新登錄頁面。視頻中心的新首頁按照產(chǎn)品分類進行設(shè)計和布局,使設(shè)計者能夠迅速找到各種技術(shù)的演示視頻。 Vishay公司的
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,在公司網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上發(fā)布了在線流媒體產(chǎn)品演示視頻中心的新登錄頁面。視頻中心的新首頁按照產(chǎn)品分類進行設(shè)計和布局,使設(shè)計者能夠迅速找到各種技術(shù)的演示視
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款針對與3D電視機配套使用的LCD快門眼鏡而專門開發(fā)的紅外接收器 --- TSOP75D25和TSOP35D25,擴充其光電子產(chǎn)品組合。表面貼裝的TSOP75D25和TSOP35D25紅外接收器可以裝
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出滿足嚴格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接指導(dǎo)的新款器件,擴充了高溫140 CRH器件和低阻抗150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器。新電容器提供最嚴格的回流焊曲線,具有從10mmx10mm到
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小尺寸PLCC2 Plus封裝的功率SMD LED --- VLMx51系列,該系列LED具有高光通量和非常低的結(jié)至環(huán)境熱阻,可用于各種照明應(yīng)用。VLMR51、VLMK51、VLMY51和VLMW51器件采用
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET --- Si8800EDB,該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,為其用于極高溫度環(huán)境的無源器件產(chǎn)品組合中增添新系列SMD卷包式薄膜貼片電阻 --- Sfernice PHT,這些電阻針對用在鉆井勘探和航天應(yīng)用的多芯片模塊進行了優(yōu)化。新的Vishay S
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小尺寸PLCC2 Plus封裝的功率SMD LED --- VLMx51系列,該系列LED具有高光通量和非常低的結(jié)至環(huán)境熱阻,可用于各種照明應(yīng)用。VLMR51、VLMK51、VLMY51和VLMW51器件采用
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, 推出通過AEC-Q101認證的新款VEMD25x0X01高速硅PIN光敏二極管和VEMT25x0X01 NPN平面光敏三極管,擴充其光電子產(chǎn)品組合。器件采用1.8mm的鷗翼式和倒鷗翼式表面貼裝封裝,光探
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列4接線端、牛角式功率鋁電容器 --- 095 PLL-4TSI。電容器具有17種大尺寸外形,電壓等級從350V至450V,在85℃下的使用壽命長達10,000小時。新款095 PLL-4TSI電容器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)界首類具有高達75V的工業(yè)電壓等級的固鉭貼片電阻器 --- T97和597D,增強了該公司TANTAMOUNT® 高可靠性電容器的性能,擴大其在高壓固鉭貼片電容器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)界首類具有高達75V的工業(yè)電壓等級的固鉭貼片電阻器 --- T97和597D,增強了該公司TANTAMOUNT® 高可靠性電容器的性能,擴大其在高壓固鉭貼片電容器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻達到超低的0.555Ω,柵極電荷減小為48
隨著眾多應(yīng)用對設(shè)計周期和成本的要求越來越苛刻,半導(dǎo)體元器件的集成度越來越高。但是,集成電路在遇到對高精度電流檢測、ESD和瞬態(tài)保護有較高要求的應(yīng)用時就束手無策了,這時還要分立器件大顯身手。此外,集成電路的
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動下就能導(dǎo)通的80V功率
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動下就能導(dǎo)通的80V功率
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用3種封裝類型、具有數(shù)字和模擬輸出的系列中距離紅外傳感器 --- TSOP4038、TSOP58038和TSOP5038,充實了其光電產(chǎn)品組合。憑借300μs的快速響應(yīng)和0.85mA的低電流,這些
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用3種封裝類型、具有數(shù)字和模擬輸出的系列中距離紅外傳感器 --- TSOP4038、TSOP58038和TSOP5038,充實了其光電產(chǎn)品組合。憑借300μs的快速響應(yīng)和0.85mA的低電流,這
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,擴充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器,增添新容值和新封裝形式。HDMKP電容器具有從900V至2700V(dc)的6種標準電壓。其前一代產(chǎn)品的容值為40µF~1100&mic