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比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產
非揮發(fā)性電阻式內存(ReRAM)開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過電場轉換機制，開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾地如期實現(xiàn)量產。
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以存儲為中心的片上系統(tǒng)與人工智能
當高性能、低功耗以存儲器為中心的片上系統(tǒng)與物聯(lián)網(wǎng)設備和云服務器相結合時，能夠實現(xiàn)怎樣的情形呢？
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中芯國際與RRAM領軍企業(yè)Crossbar達成戰(zhàn)略合作協(xié)議
中芯國際集成電路制造有限公司，中國內地規(guī)模最大、技術最先進的集成電路 晶圓代工企業(yè)，與阻變式存儲器(RRAM)技術領導者Crossbar，今日共同宣布雙方就非易失性RRAM開發(fā)與
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閃存技術撞墻了？RRAM有望接下下一棒
閃存技術撞墻了，如果不這個圈子里的人可能難以體會到。去年3D X-point技術不還刷屏朋友圈嘛?今年搭載這種新技術的SSD——“Optane”系列即將出貨了?？雌饋硭坪蹰W存技術的發(fā)展勢頭正猛，但圈內人其實早已憂心忡忡，因為他們知道，閃存技術的發(fā)展已經(jīng)遇到了難以突破的瓶頸了。
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RRAM領軍者Crossbar正式進軍中國存儲市場
阻變式存儲器(RRAM)技術的領導者Crossbar公司今日宣布正式進軍中國市場，并在上海設立新的辦事處。Crossbar公司首席執(zhí)行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場，亦是絕大多數(shù)產品的制造
