據(jù)AnandTech報道， 臺積電悄悄推出了性能增強的 7nm 深紫外（N7 / DUV）和 5nm 極紫外（N5 / EUV）制造工藝—N7P 和 N5P 。該公司的 N7P 和 N5P 技術(shù)專為那些需要運行更快、功耗更低的客戶而設(shè)計。

據(jù)了解，盡管 N7P 與 N7 的設(shè)計規(guī)則相同，但新工藝優(yōu)化了前端（FEOL）和中端（MOL）制程，可在相同功率下將性能提升 7%、或在同頻下降低 10% 的功耗。

在日本舉辦的 2019 VLSI 研討會上，臺積電透露該公司客戶已經(jīng)可以使用新工藝，但該公司并未對此技術(shù)做大規(guī)模宣傳。

據(jù)悉，N7P 采用經(jīng)過驗證的深紫外（DUV）光刻技術(shù)。與 N7 相比，它沒有增加晶體管的密度。也因為這一原因，需要晶體管密度提高18~20％的臺積電客戶預計將使用N7+和N6工藝。

對臺積電而言，盡管 N7 和 N6 工藝將是未來幾年的“長”節(jié)點技術(shù)，但臺積電下一個密度、功耗和性能顯著提高的主要節(jié)點將會是N5。

同樣地，臺積電也將推出5nm工藝的增強版本，即 N5P。N5P也將采取FEOL 和 MOL 優(yōu)化，以便讓芯片能夠在相同功率下提升 7% 的性能，或在同頻下降低 15% 的功耗。