華為布局第三代半導(dǎo)體材料 性能為傳統(tǒng)硅上千倍
8月26日消息,近日,華為旗下的哈勃科技投資公司投資了山東天岳先進(jìn)材料有限公司,并持股10%。
今年4月,華為斥資7億元成立了一家投資公司,即哈勃科技投資有限公司,由華為投資控股有限公司100%控股;該公司經(jīng)營范圍主要是創(chuàng)業(yè)投資業(yè)務(wù),董事長以及總經(jīng)理均為白熠,而且,他還是華為全球金融風(fēng)險(xiǎn)控制中心總裁。
本次接受投資的山東天岳是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅企業(yè),成立于2011年12月;目前,山東天岳投資建成了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化基地,具備研發(fā)和生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體襯底材料的軟硬件條件。
今年2月,山東天岳的碳化硅功率半導(dǎo)體芯片及電動(dòng)汽車模組研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目;據(jù)了解,該項(xiàng)目是濟(jì)南2019年市級重點(diǎn)項(xiàng)目之一,總投資6.5億元,總占用廠房面積為2400平方米,碳化硅功率芯片生產(chǎn)線和碳化硅電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)模塊生產(chǎn)線各一條。
所謂碳化硅(SiC)是碳(C)元素和硅(Si)元素形成的化合物,也是第三代半導(dǎo)體材料代表之一。跟傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅相比,它具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率等明顯的優(yōu)勢,可以廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件、半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED),以及諸如5G通訊、物流網(wǎng)等微波通訊領(lǐng)域,并被列入《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要》。
同時(shí),它也是目前綜合性能最好(綜合性能較硅材料可提升上千倍)、商品化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料。
現(xiàn)在正值全球5G網(wǎng)絡(luò)大規(guī)模建設(shè)之際,碳化硅在這方面扮演著不可或缺的角色—;—;大數(shù)據(jù)傳輸、云計(jì)算、AI技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng),包括下一步的能源傳輸,對網(wǎng)絡(luò)傳輸速度及容量提出了越來越高的要求,大功率芯片的市場需求非常大。而硅材料的負(fù)載量已到達(dá)極限,以硅作為基片的半導(dǎo)體器件性能和能力極限已無可突破的空間。
國內(nèi)碳化硅材料實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后,將打破國外壟斷,推動(dòng)國內(nèi)5G芯片技術(shù)和生產(chǎn)力的提升。