傳統(tǒng)的硅基功率半導(dǎo)體器件及其材料已經(jīng)滿足不了當(dāng)下行業(yè)對(duì)高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境及小型化功率半導(dǎo)體器件發(fā)展需求，且每取得一次突破都要付出高昂的代價(jià)。

所以，業(yè)界將目光轉(zhuǎn)向了以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，它們具有禁帶寬、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，結(jié)合卓越的開(kāi)關(guān)性能、溫度穩(wěn)定性和低電磁干擾（EMI），更適用于如太陽(yáng)能逆變器、電源、電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)動(dòng)力等下一代電源轉(zhuǎn)換。

在IC China 2019化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)論壇上，來(lái)自浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院的院長(zhǎng)盛況，蘇州納維科技有限公司董事長(zhǎng)徐科，中微半導(dǎo)體公司副總裁MOCVD事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事總經(jīng)理任勉，英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇，Qorvo應(yīng)用市場(chǎng)總監(jiān)黃靖，華南理工大學(xué)教授、博士李國(guó)強(qiáng)，工業(yè)和信息化部軟件和微電子促進(jìn)中心專(zhuān)家余山等企業(yè)和專(zhuān)家代表暢談了中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展態(tài)勢(shì)以及挑戰(zhàn)。

嘉賓指出，化合物半導(dǎo)體以不同于硅材料等傳統(tǒng)半導(dǎo)體的物理特性，擁有高頻、高功率、抗高溫、抗高輻射、光電性能優(yōu)異等特點(diǎn)，特別適合于制造射頻通信器件、光電子器件、電力電子器件等，在現(xiàn)今最火熱的5G通信、新能源等市場(chǎng)具有明確而可觀的市場(chǎng)前景，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要的發(fā)展方向。

為此，各主要國(guó)家政府高度重視化合物半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展，國(guó)際龍頭企業(yè)更是加速布局，爭(zhēng)相搶占技術(shù)和市場(chǎng)制高點(diǎn)。我國(guó)是全球最大的化合物半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)，已經(jīng)在5G、新能源應(yīng)用領(lǐng)域取得國(guó)際矚目的成績(jī)。未來(lái)，我國(guó)在化合物半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)將驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)上游環(huán)節(jié)提質(zhì)增效發(fā)展，為全球企業(yè)提供重要發(fā)展機(jī)遇。