臺(tái)積電先進(jìn)制程拓展又有新進(jìn)度，公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影技術(shù)的7納米強(qiáng)效版（N7+）制程已協(xié)助客戶產(chǎn)品大量進(jìn)入市場；6納米制程技術(shù)（N6）也將于2020年第1季試產(chǎn)、年底前量產(chǎn)。受惠利多消息，臺(tái)積電美國存托憑證（ADR）、8日臺(tái)股價(jià)雙雙再創(chuàng)歷史新高價(jià)，盤中市值逾7.39萬億新臺(tái)幣改寫新高。

臺(tái)積電7日晚間發(fā)布先進(jìn)制程新進(jìn)展，臺(tái)積電表示，N7+基于7納米制程技術(shù)（N7）上，并為6納米和更先進(jìn)制程奠定良好基礎(chǔ)。N7 +量產(chǎn)速度為史上量產(chǎn)速度最快的制程之一，于2019年第2季開始量產(chǎn)，在N7量產(chǎn)超過1年時(shí)間的情況下，N7+良率與N7已相當(dāng)接近。

此外，N7 +同時(shí)提升了整體效能，邏輯密度比N7提高15-20%，并同時(shí)降低功耗，成為業(yè)界下一波產(chǎn)品中更受歡迎的制程選擇。臺(tái)積電也快速布建產(chǎn)能以滿足多個(gè)客戶對(duì)于N7 +的需求。臺(tái)積電補(bǔ)充說，EUV設(shè)備已達(dá)成熟生產(chǎn)的實(shí)力，機(jī)臺(tái)也達(dá)大量生產(chǎn)目標(biāo)，日常運(yùn)作輸出功率均大于250瓦。

值得注意的是，臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，受惠N7+的成功經(jīng)驗(yàn)，N6預(yù)計(jì)將于2020年第1季進(jìn)入試產(chǎn)，并在年底前步入量產(chǎn)。隨EUV微影技術(shù)進(jìn)一步應(yīng)用，N6的邏輯密度將比N7提高18%，且因N6與N7在設(shè)計(jì)法則上完全相容，亦可大幅縮短客戶產(chǎn)品上市時(shí)間。

業(yè)務(wù)開發(fā)副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示，AI和5G的應(yīng)用為芯片設(shè)計(jì)開啟更多可能，臺(tái)積電客戶充滿創(chuàng)新及領(lǐng)先的設(shè)計(jì)理念，通過公司技術(shù)和制造能力均得以實(shí)現(xiàn)；他還強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電在EUV微影技術(shù)上的成功，顯示不僅能夠具體落實(shí)客戶的領(lǐng)先設(shè)計(jì)，更因卓越的制造能力，能使其大量生產(chǎn)。臺(tái)積電宣示7納米N7+制程已協(xié)助客戶產(chǎn)品大量進(jìn)入市場，對(duì)比競爭對(duì)手遲未釋出先進(jìn)制程大量量產(chǎn)近況，更凸顯其在7納米的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)地位。