靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static Random-Access Memory，SRAM)是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失(被稱為volatile memory)，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。

一種是置于cpu與主存間的高速緩存，它有兩種規(guī)格：一種是固定在主板上的高速緩存(Cache Memory);另一種是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)擴(kuò)充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM，存儲(chǔ)我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送，自80486CPU起，在CPU的內(nèi)部也設(shè)計(jì)有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache(一級(jí)高速緩存)和L2Cache(二級(jí)高速緩存)的名詞，一般L1 Cache是建在CPU的內(nèi)部，L2 Cache是設(shè)計(jì)在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時(shí)設(shè)計(jì)在CPU的內(nèi)部，故Pentium Pro的體積較大。Pentium Ⅱ又把L2 Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新操作，但是也有另外的缺點(diǎn)，就是價(jià)格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。

SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存(cache).SRAM也有許多種，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，異步SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突發(fā)SRAM)，還有INTEL沒有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。基本的SRAM的架構(gòu)如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分：存儲(chǔ)單元陣列(core cells array)，行/列地址譯碼器(decode)，靈敏放大器(Sense Amplifier)，控制電路(control circuit)，緩沖/驅(qū)動(dòng)電路(FFIO)。SRAM是靜態(tài)存儲(chǔ)方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲(chǔ)單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲(chǔ)單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。

SRAM的工作原理：假設(shè)準(zhǔn)備往圖2的6T存儲(chǔ)單元寫入“1”，先將某一組地址值輸入到行、列譯碼器中，選中特定的單元，然后使寫使能信號(hào)WE有效，將要寫入的數(shù)據(jù)“1”通過寫入電路變成“1”和“0”后分別加到選中單元的兩條位線BL,BLB上，此時(shí)選中單元的WL=1，晶體管N0,N5打開，把BL,BLB上的信號(hào)分別送到Q,QB點(diǎn)，從而使Q=1，QB=0，這樣數(shù)據(jù)“1”就被鎖存在晶體管P2,P3,N3,N4構(gòu)成的鎖存器中。寫入數(shù)據(jù)“0”的過程類似。SRAM的讀過程以讀“1”為例，通過譯碼器選中某列位線對(duì)BL,BLB進(jìn)行預(yù)充電到電源電壓VDD，預(yù)充電結(jié)束后，再通過行譯碼器選中某行，則某一存儲(chǔ)單元被選中，由于其中存放的是“1”，則WL=1、Q=1、QB=0。晶體管N4、N5導(dǎo)通，有電流經(jīng)N4、N5到地，從而使BLB電位下降，BL、BLB間電位產(chǎn)生電壓差，當(dāng)電壓差達(dá)到一定值后打開靈敏度放大器，對(duì)電壓進(jìn)行放大，再送到輸出電路，讀出數(shù)據(jù)。

非揮發(fā)性SRAM非揮發(fā)性SRAM(Non-volatile SRAM，nvSRAM)具有SRAM的標(biāo)準(zhǔn)功能，但在失去電源供電時(shí)可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網(wǎng)絡(luò)、航天、醫(yī)療等需要關(guān)鍵場(chǎng)合—保住數(shù)據(jù)是關(guān)鍵的而且不可能用上電池。

異步SRAM異步SRAM(Asynchronous SRAM)的容量從4 Kb到64 Mb。SRAM的快速訪問使得異步SRAM適用于小型的cache很小的嵌入式處理器的主內(nèi)存，這種處理器廣泛用于工業(yè)電子設(shè)備、測(cè)量設(shè)備、硬盤、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等等。

根據(jù)晶體管類型分類

雙極性結(jié)型晶體管(用于TTL與ECL)—非?？焖俚枪木薮?

MOSFET(用于CMOS)—本文詳細(xì)介紹的類型，低功耗，現(xiàn)在應(yīng)用廣泛。

根據(jù)功能分類

異步—獨(dú)立的時(shí)鐘頻率，讀寫受控于地址線與控制使能信號(hào)。

同步—所有工作是時(shí)鐘脈沖邊沿開始，地址線、數(shù)據(jù)線、控制線均與時(shí)鐘脈沖配合。

根據(jù)特性分類

零總線翻轉(zhuǎn)(Zero bus turnaround，ZBT)—SRAM總線從寫到讀以及從讀到寫所需要的時(shí)鐘周期是0

同步突發(fā)SRAM(synchronous-burst SRAM，syncBurst SRAM)—

DDR SRAM—同步、單口讀/寫，雙數(shù)據(jù)率I/O

QDR SRAM(Quad Data Rate (QDR) SRAM)—同步，分開的讀/寫口，同時(shí)讀寫4個(gè)字(word)。

根據(jù)觸發(fā)類型

二進(jìn)制SRAM

三進(jìn)制計(jì)算機(jī)SRAM