系統(tǒng)內(nèi)存是 ram 的同義詞， 是隨機存取存儲器 (random-access memory) 的縮寫，它是系統(tǒng)臨時存儲程序指令和數(shù)據(jù)的主要區(qū)域。ram 中的每個位置均由一個稱為內(nèi)存地址的號碼標識。關(guān)閉系統(tǒng)后，ram 中保存的任何數(shù)據(jù)均會丟失。系統(tǒng)內(nèi)存由物理內(nèi)存以及虛擬內(nèi)存構(gòu)成，當物理內(nèi)存在運行時不夠用，系統(tǒng)會創(chuàng)建虛擬內(nèi)存，虛擬內(nèi)存一般為物理內(nèi)存的1.5~3倍。

隨機存取所謂“隨機存取”，指的是當存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關(guān)。相對的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(Sequential Access)存儲設(shè)備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關(guān)系。它主要用來存放操作系統(tǒng)、各種應用程序、數(shù)據(jù)等。

易失性當電源關(guān)閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入一個長期的存儲設(shè)備中(例如硬盤)。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。

對靜電敏感正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內(nèi)電容器的電荷，引致數(shù)據(jù)流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。

訪問速度現(xiàn)代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設(shè)備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲和其他涉及機械運作的存儲設(shè)備相比，也顯得微不足道。

需要刷新(再生)現(xiàn)代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進制)，未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。

根據(jù)存儲單元的工作原理不同， RAM分為靜態(tài)RAM和動態(tài)RAM。靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)靜態(tài)存儲單元是在靜態(tài)觸發(fā)器的基礎(chǔ)上附加門控管而構(gòu)成的。因此，它是靠觸發(fā)器的自保功能存儲數(shù)據(jù)的。動態(tài)隨機存儲器(DRAM)動態(tài)RAM的存儲矩陣由動態(tài)MOS存儲單元組成。動態(tài)MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由于柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能絕對等于0，所以電荷保存的時間有限。為了避免存儲信息的丟失，必須定時地給電容補充漏掉的電荷。通常把這種操作稱為“刷新”或“再生”，因此DRAM內(nèi)部要有刷新控制電路，其操作也比靜態(tài)RAM復雜。盡管如此，由于DRAM存儲單元的結(jié)構(gòu)能做得非常簡單，所用元件少，功耗低，已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。