在下述的內(nèi)容中，小編將會對適用于智能LED的單芯片解決方案MP4057A的相關(guān)消息予以報道，如果這是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

MP4057A 是一款適用于智能 LED 應(yīng)用的單級/單芯片解決方案，可以通過原邊調(diào)節(jié)(PSR)控制功能調(diào)整 LED 電流，并為微控制器單元(MCU)和無線模塊供電。因為 MP4057A 的設(shè)計簡單，采用最少的外部元組件，成本最低，是智能 LED 照明的理想方案。

MP4057A 可以實現(xiàn)高功率因數(shù)和精確的 LED 電流。其專有的實時電流控制方法可通過原邊信息精確控制LED電流。。MP4057A 集成了功率因數(shù)校正功能，采用谷值導通模式來降低 MOSFET 開關(guān)損耗。

MP4057A 通過在待機模式下降低工作頻率來實現(xiàn)超低待機損耗(空載功耗一般為 30mW)。

MP4057 在電源引腳上集成了充電電路，可在無明顯延遲的情況下快速啟動。

基于來自 DIM 的信息，MP4057A 可以采用兩種工作模式運行：恒定電流(CC)和恒定電壓(CV)。MP4057A 在恒定電壓模式下運行時，LED 可以關(guān)閉。在 CC 和 CV 過渡期間，LED 不閃爍，MCU/無線模塊的電壓不下降。

MP4057A 具有多種保護功能，大大提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。這些保護功能包括過壓保護(OVP)、短路保護(SCP)、原邊過流保護(OCP)、輸入欠壓保護(BOP)、逐周期限流保護、欠壓鎖定保護(UVLO)和有自動重啟功能的過溫保護(OTP)。

MP4057A 采用 MSOP-10 和 SOIC14 封裝。

在啟動方面，最初，VDD 由內(nèi)部充電電路從 AC 線路充電。當 VDD 達到 VDDH 閾值時，欠壓鎖定 (UVLO) 邏輯變?yōu)榈碗娖剑瑑?nèi)部主 MOSFET 開始開關(guān)。 MP4057A 默認在 CV 模式下啟動，直到 VCC 為 4.2V，VO 為 3.1V，這表示啟動序列結(jié)束。 UVLO 變低后，內(nèi)部充電電路關(guān)閉，芯片供電由 VDD 或 VCC 中較高的電壓接管。啟動后，MP4057A 根據(jù)來自 DIM 的信息選擇其操作模式。 如果 DIM 為邏輯低電平，則 MP4057A 以 CV 模式運行。 否則，MP4057A 在 CC 模式下運行。

在恒壓 (CV) 操作方面，在 CV 操作期間，VCC 由誤差補償放大器檢測。 VCC 被調(diào)節(jié)并負責VO 電源。 由于 VCC 繞組和 LED 繞組的匝數(shù)比關(guān)系，輸出 LED 不亮。 建議在 LED 輸出端增加一個虛擬負載，以確保 LED 電流為零。 為實現(xiàn) CV 待機模式下的超低輸入功率，內(nèi)部有智能調(diào)頻電路來優(yōu)化開關(guān)

頻率。 如果系統(tǒng)在空載條件下工作，由于最小導通時間限制，VCC 可能高于規(guī)定值。 COMP 電壓鉗位在 1.21V，最低工作頻率可降至 400Hz 左右。 在某些應(yīng)用中，在 VO 的負載階躍期間，特別是從空載到最大負載，VCC 可能會因電壓環(huán)路響應(yīng)緩慢而下降。 為了改善這一點，采用高頻操作 (HFM) 來保證 VO 上沒有壓降。

在CC 模式 – PWM 調(diào)光方面， CC 操作期間，DIM 信息被發(fā)送到 CC 的誤差放大器。 反饋參考電壓根據(jù) DIM 信息按比例縮小。 因此，可以得到 LED 電流和 DIM 信號之間的線性關(guān)系。 為保證MCU/無線模塊的供電，最小反饋參考電壓鉗位在10mV，最大調(diào)光深度為5%。

在CC 模式 – 谷值開關(guān)模式操作方面，外部 MOSFET 導通時間 (tON) 期間，整流輸入電壓 (VBUS) 被施加到初級側(cè)電感器 (Lp)，初級電流 (Ipri) 從零線性增加到峰值 (Ipk)。當外部 MOSFET 關(guān)斷時，電感中存儲的能量被轉(zhuǎn)移到次級側(cè)，并打開次級側(cè)二極管為負載供電。次級電流 (Isec) 開始從峰值線性下降到零。當次級電流降至零時，初級側(cè)漏電感、磁化電感和所有寄生電容會降低 MOSFET 漏源電壓。這種減少也反映在輔助繞組上。在 CC 操作期間，MP4057A 會監(jiān)視 ZCD 是否在下一個開關(guān)周期之前兩次降至零。當 ZCD 電壓第二次低于 0.295V 時，來自 ZCD 的零電流檢測器產(chǎn)生柵極導通信號。這實際上消除了開關(guān)導通損耗和二極管反向恢復損耗，確保高效率和低 EMI 噪聲。

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