晶片是LED最主要的原物料之一，是LED的發(fā)光部件，LED最核心的部分，晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復(fù)合半導(dǎo)體物質(zhì)構(gòu)成。在LED封裝時(shí)，晶片來(lái)料呈整齊排列在晶片膜上。

晶片為L(zhǎng)ED的主要原材料,LED主要依靠晶片來(lái)發(fā)光.

主要有砷(AS) 鋁(AL) 鎵(Ga) 銦(IN) 磷(P) 氮(N)鍶(Sr)這幾種元素中的若干種組成.

1.按發(fā)光亮度分:A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等.B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等C.超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等D.不可見(jiàn)光(紅外線):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIRE. 紅外線接收管 :PTF.光電管 : PD2.按組成元素分:A. 二元晶片(磷﹑鎵):H﹑G等B.三元晶片(磷﹑鎵﹑砷):SR﹑HR﹑UR等C.四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG等.

晶片外觀晶片形狀為正方形或長(zhǎng)方形,上表面有單電極或雙電極,紅光與黃光晶片多數(shù)為單電極晶片,且上表面有正或負(fù)極.藍(lán)/綠晶片多數(shù)為雙電極,且一般圓形電極為正極.具體電極情況請(qǐng)參照晶片規(guī)格書(shū).

1.晶片廠商名稱(chēng): A.光磊(ED) B.國(guó)聯(lián)(FPD) C.鼎元(TK) D.華上(AOC)E.漢光(HL) F.AXT G.廣稼2.晶片在生產(chǎn)使用過(guò)程中需注意靜電防護(hù).

1.評(píng)估流程:來(lái)料檢驗(yàn)==>安排試產(chǎn)==>固晶實(shí)驗(yàn)==>焊線實(shí)驗(yàn)==>老化實(shí)驗(yàn)==>不良分析==>OK/NG2.檢驗(yàn)項(xiàng)目包括：2.1、來(lái)料資料有無(wú)規(guī)格書(shū)(沒(méi)有規(guī)格書(shū)不建議盲目的去實(shí)驗(yàn));2.2、來(lái)料的芯片參數(shù)(亮度、電壓、波長(zhǎng)等)是否符合規(guī)格要求，外觀(電極位置)是否與規(guī)格書(shū)上相同;2.3、尺寸測(cè)量：需要采用精確的高倍顯微鏡進(jìn)行測(cè)量，實(shí)際尺寸是否符合要求;包括芯片的長(zhǎng)、寬、高、電極大小等2.4、電性檢測(cè)：VF、IV、WL、IR、極性等實(shí)際測(cè)試是否符合要求。此項(xiàng)有很多廠商沒(méi)有條件測(cè)試，建議在試做過(guò)程中去做成成品測(cè)試(但極性最好先進(jìn)行確認(rèn));3、試產(chǎn)外觀檢查OK后就開(kāi)始進(jìn)行排單實(shí)驗(yàn)其他性能是否適合批量投產(chǎn)，排單時(shí)準(zhǔn)備好相關(guān)資料與試產(chǎn)資料4、固晶評(píng)估項(xiàng)目：a.PR識(shí)別的能力b.氣壓壓力c.頂針高度d.吸嘴大小e.焊頭壓力f.芯片膜的粘性g.產(chǎn)能如何等，h.推力(推后現(xiàn)象)若有問(wèn)題均要有記錄。焊線評(píng)估項(xiàng)目：a.焊線壓力b.功率c.時(shí)間d.焊線熱板溫度e.PR識(shí)別能力f.弧高g.金球大小h.產(chǎn)能i.拉力大小(斷點(diǎn)位置)若有問(wèn)題均要有記錄。老化實(shí)驗(yàn)a.電性測(cè)試(包括ESD);b.按信賴(lài)性實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)取材料準(zhǔn)備分別做以下實(shí)驗(yàn)：實(shí)驗(yàn)前產(chǎn)品需要編號(hào)測(cè)試VF/IR/IV/WL性能，產(chǎn)品要與數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng))，實(shí)驗(yàn)一：常溫點(diǎn)亮保存(條件Ta=25±5℃,RH=55±20%RH，20mA通電1000hrs)實(shí)驗(yàn)二：高溫高濕點(diǎn)亮(條件Ta=85+5、-3℃,RH=85%+5、-10%，20mA通電1000hrs)實(shí)驗(yàn)三：冷熱沖擊[條件Ta=85℃(30分鐘)～Ta=25℃(30分鐘)～Ta=-40℃(30分鐘)～Ta=85℃(30分鐘)]其他實(shí)驗(yàn)可以根據(jù)自己的需要進(jìn)行選擇;實(shí)驗(yàn)過(guò)程中每100/168小時(shí)測(cè)試一次;所有不良品均要分析。