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[導(dǎo)讀]臺積電在全球芯片緊缺的背景下,迎來了非常多的客戶訂單。外界的缺芯對臺積電并不會產(chǎn)生太大的影響,只要提高代工成本,最終還是會有人買單。

臺積電在全球芯片緊缺的背景下,迎來了非常多的客戶訂單。外界的缺芯對臺積電并不會產(chǎn)生太大的影響,只要提高代工成本,最終還是會有人買單。

臺積電計劃未來3年拿出千億美元,看似臺積電加大成本開支不劃算,可實際上臺積電已經(jīng)連續(xù)漲價了好幾次,這千億美元的資本開支,還是會從客戶市場上賺回來。為了確保市場地位,讓更多的客戶找臺積電做生意,臺積電需要探索更先進的工藝。

臺積電今天線上舉辦2021年度技術(shù)研討會,公布了未來新工藝進展,6nm、5nm、4nm、3nm、2nm都有新消息傳來。

2nm目前是各大半導(dǎo)體巨頭角逐的制高點,IBM甚至已經(jīng)在實驗室內(nèi)搞定,率先公布了2nm芯片,而除了臺積電、三星兩大代工巨頭,歐洲、日本也在野心勃勃地規(guī)劃。

不同于之前世代在相同的基礎(chǔ)架構(gòu)上不斷演進,臺積電的2nm工藝將是真正全新設(shè)計的,號稱史上最大的飛躍,最大特點就是會首次引入納米片(nanosheet)晶體管,取代現(xiàn)在的FinFET結(jié)構(gòu)。

臺積電表示,納米片晶體管可以更好地控制閾值電壓(Vt)——在半導(dǎo)體領(lǐng)域,Vt是電路運行所需的最低電壓,它的任何輕微波動,都會顯著影響芯片的設(shè)計、性能,自然是越小越好。

臺積電宣稱,根據(jù)試驗,納米片晶體管可將Vt波動降低至少15%。

目前,臺積電的2nm工藝剛剛進入正式研發(fā)階段,此前消息是2023年試產(chǎn)、2024年量產(chǎn)。

在晶圓代工領(lǐng)域,臺積電扮演龍頭角色,無論是產(chǎn)能還是工藝,臺積電對比競爭對手都有不小的領(lǐng)先優(yōu)勢。按照臺積電計劃,3nm工藝芯片將會在明年下半年進行投產(chǎn),而2nm工藝產(chǎn)線則會在2023年投入使用。事實上,建立先進工藝芯片工廠,對芯片制造商而言,有著相當大的困難。先進工藝研發(fā)需要耗費大量時間與金錢,而先進芯片生產(chǎn)、擴產(chǎn)則需要大量尖端設(shè)備提供支持。

但這對臺積電而言,無論是資金還是設(shè)備都不是2nm技術(shù)的攔路虎。臺積電建立2nm芯片工廠的開銷僅為200億美元(折合人民幣1290億),而臺積電今年資本支出費用則是1000億美元,絲毫構(gòu)不成資金壓力。至于EUV光刻機,雖然荷蘭ASML每年產(chǎn)量有限,但要知道,臺積電包攬了全球一半以上的EUV光刻機。建立2nm芯片產(chǎn)線,臺積電的EUV光刻機數(shù)量也足夠。

目前來看,真正阻礙臺積電建立2nm工廠,生產(chǎn)芯片的攔路虎其實是水資源。據(jù)悉,臺積電的2nm芯片建廠申請,近日遭到了新竹環(huán)保局的拒絕,理由是的日均耗水量太大。值得一提的是,這并不是臺積電第一次因為耗水太大而遭到當?shù)夭块T拒絕。水對臺積電而言,主要作用是沖洗芯片,并且為了防止雜質(zhì)污染芯片,臺積電必須要使用純水反復(fù)沖洗。

根據(jù)臺積電給出的數(shù)據(jù)顯示,生產(chǎn)8英寸晶圓每小時耗水250立方米,而生產(chǎn)12英寸晶圓,每小時耗水量則是在500立方米。臺積電每年晶圓產(chǎn)量大概在3000萬片,耗水量也就在160億噸到170億噸之間??紤]到臺灣地區(qū)四面環(huán)海,河流較少,水資源本身就不算豐富,因此環(huán)保部門拒絕臺積電建廠也合情合理。

近年來,芯片制造工藝發(fā)展速度很快,短短幾年時間內(nèi),就從14nm進步到了5nm,可以i說,中高端手機幾乎都是采用5nm芯片,部分機型采用6nm等芯片。

而在芯片制造企業(yè)中,臺積電的技術(shù)最為先進,原因是臺積電用DUV光刻機量產(chǎn)了7nm芯片,并率先推出5nm工藝的芯片。

最主要的是,臺積電是先進制程芯片產(chǎn)能是最高的企業(yè),同時,臺積電的良品率也很高,所以,蘋果、AMD以及英偉達等廠商都將訂單交給臺積電生產(chǎn)。

在EUV光刻機出現(xiàn)后,臺積電就推出EUV工藝的7nm芯片,而三星也是用EUV光刻機量產(chǎn)的該芯片。

但在生產(chǎn)制造3nm、2nm芯片方面,相同的辦法已經(jīng)無法使用,必須要用到更先進的光刻機,否則是無法進行更精細的光刻作業(yè)。

其次,ASML正在研發(fā)制造全新一代NA EUV光刻機,根據(jù)ASML發(fā)布的消息可知,NA EUV光刻機采用更先進的光源技術(shù),NA值高達0.33,可用于3nm等芯片的制造。

目前,全新一代NA EUV光刻機已經(jīng)完整了研發(fā)設(shè)計任務(wù),并正式進入了生產(chǎn)制造階段,最快在2022下線商用,最遲到2023年。

臺積電早早就展開了2nm工藝的研究,并且新消息稱臺積電會在新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)建設(shè)首座2nm生產(chǎn)線。緊接著還會在臺中建第二座工廠。首座工廠建設(shè)完成之后,大概會在2023年風險性試產(chǎn),為后續(xù)的量產(chǎn)做準備。

臺積電傳來2nm建廠的消息,卻面臨用水,用電的難題。而且可以預(yù)見的是,臺積電加大建廠投入,會讓客戶付出更多的代工費用。畢竟羊毛出在羊身上,不管臺積電投入多少費用,最終還是會從羊身上賺回來。


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