近日，臺積電確定要在臺中的中科園區(qū)建座 100 公頃的工廠，總投資額高達(dá) 8000 億-1 萬億新臺幣 (約 289 億~361 億美元)。這一投資包括未來 2nm 制程的工廠，后續(xù)演進(jìn)的 1nm 制程的廠區(qū)也會落在該園區(qū)。業(yè)界預(yù)計，臺積電 2nm 工藝將在在 2024 年試生產(chǎn)，并在 2025 年量產(chǎn)，1nm 工藝將在此之后。另外，1nm 之后，臺積電將進(jìn)入更新世代的“埃米”制程 (埃米是納米的十分之一)，埃米世代制程有意落腳高雄，但臺積電并未證實。1月10日早間消息，據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道，根據(jù)供應(yīng)鏈業(yè)界消息，臺積電產(chǎn)能持續(xù)搶手，AMD、蘋果、英偉達(dá)和高通等數(shù)十家客戶為確保后續(xù)出貨能力，紛紛預(yù)先支付費(fèi)用，臺積電今年將可取得超54.2億美元預(yù)付款，年度營收有望繼續(xù)創(chuàng)新高。

自2020年以來，臺積電和三星電子兩大專業(yè)晶圓代工廠便一直在明爭暗斗，前者想要讓霸主地位更加穩(wěn)固，而后者則想要利用新工藝在后摩爾時代彎道超車。

為了超越臺積電，三星曾在2020年公布了詳細(xì)的計劃，并為此投入了巨額資金，甚至于，要冒險采用全新的GAA工藝。

雖然2021年以來全球半導(dǎo)體市場發(fā)生的種種事件擾亂了旁觀者的注意力，但兩大巨頭之間的競爭卻從未停止。

根據(jù)新加坡《聯(lián)合早報》的報道，臺積電總裁魏哲家官宣了臺積電在芯片代工以及新工藝研發(fā)業(yè)務(wù)上的新進(jìn)展。

據(jù)魏哲家透露，受5G相關(guān)芯片等產(chǎn)品市場需求強(qiáng)勁的影響，目前臺積電的晶圓代工產(chǎn)能仍然處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。

與此同時，汽車、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域也在持續(xù)帶動整個半導(dǎo)體元件市場的需求增長，所以魏哲家預(yù)測，今年可能無法解決缺芯潮。

另外，魏哲家還預(yù)計，臺積電將于2025年推出2nm芯片。

從2nm芯片的亮相時間上來看，臺積電似乎與三星電子速度相當(dāng)。

早在今年10月7日，快科技報道，三星電子在三星代工論壇2021大會上第一次披露，該公司計劃2025年量產(chǎn)2nm芯片。

不過，三星在透露這一消息的同時還表示，新工藝的進(jìn)度還需要看客戶的規(guī)劃和部署。

考慮到三星幾乎在之前的每一個工藝節(jié)點(diǎn)都會落后臺積電一步的情況，筆者認(rèn)為三星很有可能在2026年才能夠?qū)崿F(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn)及上市。

2021 年 Intel 在半導(dǎo)體芯片上有個戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變，除了自建工廠生產(chǎn)自家處理器之外，還要重新進(jìn)入代工市場，同時也加強(qiáng)與晶圓代工廠的合作，此前有消息稱他們已經(jīng)拿了臺積電 3nm 一半產(chǎn)能，現(xiàn)在又要跟臺積電合作開發(fā) 2nm 工藝。

爆料這一消息的是 Northland 分析師 Gus Richard，它日前發(fā)布報告，將 Intel 目標(biāo)股價上調(diào)到 62 美元，并給出優(yōu)于指數(shù)的評級，看好 Intel 未來發(fā)展。

根據(jù)他的說法，Intel 不僅可能會將 3nm 制程工藝交給臺積電代工，同時也開始跟臺積電討論合作開發(fā) 2nm 工藝。

不過這一說法還沒有得到 Intel 或者臺積電的證實，考慮到這是高度機(jī)密的信息，一時間也不會有官方確認(rèn)的可能。

此前消息稱臺積電 3nm 的量產(chǎn)時間預(yù)計 2022 年四季度啟動，且首批產(chǎn)能被蘋果和 Intel 均分。

至于未來的 2nm 工藝，臺積電將在 2nm 節(jié)點(diǎn)推出 Nanosheet/Nanowire 的晶體管架構(gòu)并采用新的材料，預(yù)計會在 2025 年量產(chǎn)。

按照全球最頂尖的兩大代工廠臺積電、三星的計劃，今年雙方的工藝都將進(jìn)入3nm。

很多人認(rèn)為，今年將是臺積電、三星展開競賽的一年，臺積電想保住自己大哥的位置，而三星不甘心當(dāng)老二，也想當(dāng)大哥，所以競賽必然在3nm上進(jìn)行。

再加上三星押寶GAAFET技術(shù)，相比于臺積電的FinFET技術(shù)更先進(jìn)，所以三星是來勢洶洶。

表面上來看，確實是如此，但事實上，今年雙方并不會展開什么激烈競爭，雙方真正的決戰(zhàn)將會在2025年的2nm工藝上展開，現(xiàn)在都只是前期準(zhǔn)備階段。

首先，在3nm上，不管臺積電的FinFET工藝是不是真的落后于GAAFET工藝，三星是搶不走太多臺積電份額的。

一方面是當(dāng)前臺積電的優(yōu)勢還很明顯，蘋果、AMD、聯(lián)發(fā)科、nividia、intel們都還站臺積電，三星的最大客戶還只有高通，明顯拼不過。

二是三星剛使用GAAFET技術(shù)，良率不可能很高，成本也不可能低下來，相比于臺積電成熟穩(wěn)定的FinFET而言，技術(shù)是先進(jìn)些，但芯片產(chǎn)能規(guī)模化不了，更多的只是前期工作，推動技術(shù)落地成熟應(yīng)用而已，所以在3nm時就搶臺積電市場，真的難以實現(xiàn)。

可以說，三星之所以在3nm時使用GAAFET這種技術(shù)，更多的還是在后續(xù)做準(zhǔn)備，提前熟悉、掌握這一技術(shù)，這樣在后續(xù)工藝時更有領(lǐng)先優(yōu)勢。

到2025年時，臺積電也要轉(zhuǎn)用GAAFET工藝了，并且在2025年臺積電、三星都會進(jìn)入2nm工藝，都使用GAAFET技術(shù)，這時候才是兩者真正決戰(zhàn)的開始。

臺積電在2025年時才 算是首次進(jìn)入GAAFET工藝，而三星相當(dāng)于已經(jīng)提前熟悉了3年，三星在GAAFET工藝更有優(yōu)勢了。

再加上三星前期做的各種準(zhǔn)備工作，三星在2025年時，也就是都進(jìn)入GAAFET工藝時，才是真正有希望搶臺積電市場的時候，那時候也將是真正的大決戰(zhàn)時候。