1月19日下午消息，據(jù)報道，為了從臺積電手中奪回“全球最先進(jìn)芯片制造商”的地位，英特爾今日向荷蘭光刻機制造商阿斯麥(ASML)訂購了一款最先進(jìn)的芯片制造機(光刻機)。

這款光刻機目前仍處于設(shè)計階段，預(yù)計數(shù)年后才會交付。阿斯麥今日在財報電話會議上稱，該公司目前已收到5臺下一代光刻機的訂單，以及一臺仍在設(shè)計中的更新型號的訂單。隨后，阿斯麥和英特爾在另一份聯(lián)合聲明中稱，英特爾就是更新型號光刻機的買家。

阿斯麥最先進(jìn)的商用機器被稱為“EUV光刻系統(tǒng)”，使用“極紫外光”(EUV)光波來繪制計算機芯片的電路的，其大小相當(dāng)于一輛公交車，每臺成本約為1.5億美元。一家先進(jìn)芯片工廠通常需要9~18臺這樣的設(shè)備。因此，光刻機是芯片制造商最大的資本開支之一。

當(dāng)前，阿斯麥?zhǔn)谴祟悪C器的唯一制造商，其EUV客戶包括全球最大的芯片制造商，如臺積電、三星和英特爾等。

阿斯麥今日稱，現(xiàn)已收到5臺下一代光刻機的訂單，這5臺機器被稱為“High NA”EUV，將采用不同的鏡頭系統(tǒng)，數(shù)值孔徑(NA)更大，每臺成本約為3億美元。第一批原型將于2023年發(fā)貨，預(yù)計要到2025年才能用于批量生產(chǎn)。

周三ASML公布的第四季度財報高于預(yù)期。此外ASML還宣布，目前已經(jīng)收到數(shù)個有五臺新型光刻機的訂單，此外還有企業(yè)訂購了一臺仍在設(shè)計中、需要數(shù)年時間才能發(fā)貨的頂級光刻機。

兩家公司在一份單獨的聯(lián)合新聞稿中表示，英特爾是這臺頂級光刻機的買家。

ASML最先進(jìn)的光刻機是利用極紫外線蝕刻計算機芯片電路的極紫外(EUV)光刻機。整臺機器大小與公共汽車相當(dāng)，成本約為1.5億美元。

對于芯片制造工廠而言，通常需要9到18臺光刻機，這也是芯片制造商最大開支之一。

荷蘭ASML是世界上唯一制造光刻機的廠商，EUV光刻機客戶包括臺積電、三星和英特爾等公司。

ASML表示，目前已經(jīng)收到數(shù)個有五臺新型光刻機的訂單。這種名為“High NA”光刻機的極紫外光刻機配置不同的鏡頭系統(tǒng)，數(shù)值孔徑更高，機器也更大，每臺成本約為3億美元。

第一批原型機將于2023年發(fā)貨，預(yù)計要到2025年才能用于批量制造芯片。

英特爾正試圖從臺積電手中奪回芯片制造技術(shù)領(lǐng)先地位。此前英特爾曾確定自己是ASML High NA光刻機EXE:5000的第一個買家，預(yù)計這款機器將在21世紀(jì)20年代晚些時候幫助芯片制造商進(jìn)一步縮小芯片尺寸。

英特爾周三表示，它還將購買第一臺EXE:5200光刻機。這款光刻機仍在設(shè)計過程中，較EXE:5000作出提高芯片生產(chǎn)率在內(nèi)的幾項改進(jìn)。但兩家公司都沒有提到這款機器的售價。

阿斯麥預(yù)期2022年一季度的營收將在33-35億歐元之間，毛利率也將下降到49%。營收下降的主要原因在于快速發(fā)貨的策略，導(dǎo)致一季度預(yù)期營收中有20億歐元會遞延至后續(xù)季度。從全年的角度來看，公司有希望實現(xiàn)凈銷售額上升20%左右。

值得一提的是，公司強調(diào)柏林工廠失火的影響已經(jīng)被計算在內(nèi)。根據(jù)目前的情況，公司預(yù)期這場火災(zāi)不會對全年產(chǎn)能造成顯著影響。

公司同時確認(rèn)2021年全年分紅達(dá)到每股5.5歐元，較2020年正好翻了一倍。此外根據(jù)去年七月通過的回購計劃，公司在四季度繼續(xù)回購價值25億歐元的股票。2021年，阿斯麥通過股票回購和分紅，總共向股東返還了99億歐元。

TWINSCAN EXE：5200是ASML的高NA(數(shù)值孔徑)EUV光刻機，其吞吐量超每小時220片晶圓(wph)。

從路線圖來看，EXE：5200預(yù)計最快2024年底投入使用，2025年開始大規(guī)模應(yīng)用于先進(jìn)芯片的生產(chǎn)。

事實上，4年前，ASML的第一代高NA(0.55 NA)光刻機EXE：5000，Intel就是第一個下單的公司。不過當(dāng)前的7nm、5nm芯片還并非是其生產(chǎn)，而是0.33NA EUV光刻機。

和0.33NA光刻機相比，0.55NA的分辨率從13nm升級到8nm，可以更快更好地曝光更復(fù)雜的集成電路圖案，突破0.33NA單次構(gòu)圖32nm到30nm間距的極限。

外界預(yù)計，第一代高NA光刻機EXE：5000會率先用于3nm節(jié)點，至于EXE：5200，按照Intel的制程路線圖，2025年至少是20A或者18A，也就是5nm和5nm+。

此前，ASML發(fā)言人曾對媒體透露，更高的光刻分辨率將允許芯片縮小1.7倍、同時密度增加2.9倍。未來比3nm更先進(jìn)的工藝，將極度依賴高NA EUV光刻機。

Intel能搶到第一單，除了和ASML一致緊密合作外，當(dāng)然也是因為“鈔能力”，Gartner分析師Alan Priestley稱，0.55NA下一代EUV光刻機單價將翻番到3億美元(約合19億元人民幣)。