1月20日，從華中科技大學集成電路學院獲悉，該學院團隊研制出全世界功耗最低的相變存儲器，比主流產品功耗低了一千倍。

據了解，在新型存儲器中，相變存儲器(PCM)是與CMOS工藝最兼容，技術最成熟的存儲技術。

2015年，Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲芯片，速度和壽命比固態(tài)閃存硬盤要快一千倍，其三維堆疊技術也使容量高出了十倍。

然而，由于在相變過程中需要將存儲介質熔化冷卻，導致相變存儲器的功耗極高且發(fā)熱嚴重，限制了存儲容量的進一步提高，也大大增加了其制造成本。

因此，降低相變存儲器的功耗將便于進一步提升存儲器數據密度，提高其在半導體存儲市場核心競爭力，此外降低功耗可以改善存儲器散熱問題，減少相鄰單元間的熱串擾，從而提高器件穩(wěn)定性和整體性能。

目前最先進的幾十納米制程的單個相變存儲單元擦寫功耗達到了40pJ左右，而實驗室制備的百納米大小的器件功耗達到1000pJ以上。

為了解決相變存儲器中高功耗的瓶頸問題，華中科技大學集成電路學院信息存儲材料及器件研究所(ISMD)聯合西安交通大學材料創(chuàng)新設計中心(CAID)研發(fā)了一種網狀非晶結構的相變存儲器，功耗達到了0.05pJ以下，比主流產品功耗低了一千倍。

除了低功耗以外，該相變存儲器擁有一致性好且壽命長的優(yōu)點。